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针对NAND Flash主控芯片Greedy垃圾回收的优化方法

摘要

本发明属于芯片技术领域,具体涉及一种针对NAND Flash主控芯片Greedy垃圾回收的优化方法。与现有技术相比较,本发明具改进后的方案增加了“一满一擦”触发方式和局部检索的搜索机制对Greedy算法进行优化。由于每当有闪存块的最后一页被写入数据,NAND Flash控制系统就会触发垃圾回收算法,这样可以保证被无效数据占用的存储空间得到及时的释放,尽可能使闪存存储设备长期保持较多的可用存储空间,避免垃圾回收算法的集中触发。

著录项

  • 公开/公告号CN109710541B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2023.06.09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津津航计算技术研究所;

    申请/专利号CN201811484882.8

  • 发明设计人 李明洋;杨硕;杨阳;王晓璐;

    申请日2018.12.06

  • 分类号G06F12/02(2006.01);

  • 代理机构中国兵器工业集团公司专利中心 11011;

  • 代理人周恒

  • 地址 300308 天津市东丽区空港经济区保税路357号

  • 入库时间 2023-07-07 01:38:07

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