公开/公告号CN100568466C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-09
原文格式PDF
申请/专利权人 通用半导体公司;
申请/专利号CN02819657.0
发明设计人 理查德·A·布朗夏尔;让-米歇尔·吉约;
申请日2002-10-03
分类号H01L21/336(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人樊卫民;钟强
地址 美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:03:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-11-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 授权公告日:20091209 终止日期:20151003 申请日:20021003
专利权的终止
2009-12-09
授权
授权
2005-03-09
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-01-12
公开
公开
机译: 用于制造具有电压保持层的功率半导体器件的方法,该电压保持层具有有助于形成浮岛的阶梯状沟槽
机译: 用于制造具有电压保持层的功率半导体器件的方法,该电压保持层具有有助于形成浮岛的阶梯状沟槽
机译: 用于制造具有电压保持层的功率半导体器件的方法,该电压保持层具有有助于形成浮岛的阶梯状沟槽