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一种制备部分稳定二氧化锆的方法

摘要

一种制备部分稳定二氧化锆的方法。用微波加热煅烧方法处理稳定结构的电熔法脱硅锆,包括浇铸块、空心球和粉体,以及处理化学法制备的二氧化锆前驱体氢氧化锆,得到单斜、四方和立方相混合结构的部分稳定二氧化锆产品。适合用作特殊陶瓷材料及耐火材料。

著录项

  • 公开/公告号CN100569659C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN200710066180.3

  • 申请日2007-09-12

  • 分类号C01G25/02(20060101);

  • 代理机构53112 昆明慧翔专利事务所;

  • 代理人周一康;程韵波

  • 地址 650031 云南省昆明市学府路253号

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-11-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G 25/02 授权公告日:20091216 终止日期:20120912 申请日:20070912

    专利权的终止

  • 2009-12-16

    授权

    授权

  • 2008-04-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-20

    公开

    公开

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