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公开/公告号CN112485116B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.12.30
原文格式PDF
申请/专利权人 国网北京市电力公司;国家电网有限公司;
申请/专利号CN202011331977.3
发明设计人 刘若溪;刘宏亮;陈平;任志刚;李华春;车瑶;侯宇程;王帅;
申请日2020.11.24
分类号G01N3/08;G01N3/02;G01N3/06;
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人李静茹
地址 100031 北京市西城区前门西大街41号
入库时间 2023-01-09 21:32:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-30
授权
发明专利权授予
机译: 包括具有缓冲材料的缓冲层和容纳缓冲材料的波形中心材料形成袋的无纺布的制造方法以及制造装置,其包括具有缓冲材料的缓冲层和容纳缓冲材料的波形中心材料形成袋的无纺布。用于无纺布
机译: 适用于高温高压下缓冲材料性能测量的多传感器电缆导向连接器及其密封方法
机译: 多传感器电缆引线连接器,适用于高温高压下缓冲材料性能的测量及其密封方法
机译:高压电缆缓冲层缺陷检测的语义分割方法
机译:对基于GAN-ON-SI的高压装置的缓冲层性能的α预测和AIN成核的温度效应
机译:用于超导电缆的缓冲液和超导层的缓冲液和超导层的外性结构YBA_2Cu_3O_(7-ΔE/ la_(1.75)的Ba_(0.2)Ba_4 / La_(0.2)MnO_3
机译:环境因素对高压电缆缓冲层电性能的影响
机译:具有Te背接触缓冲层的CdTe太阳能电池的性能和亚稳性
机译:使用AlSb3Te和原子层沉积TiO2缓冲层的相变存储单元的性能改进
机译:高迁移率P型缓冲层对高效半透明装置的高迁移率P型缓冲层的快速气相沉积
机译:评估表位缓冲层和超导体层的应用方法