一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法

摘要

本发明公开了一种高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容测量及建模方法，包括以下步骤：1)进行米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征；2)进行开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征；3)根据米勒平台外的漏源极间电容Cds分段表征及开关动态过程中米勒平台区的漏源极间电容测量表征进行SiC MOSFET漏源极间电容Cds的建模，该方法能够实现高压SiC MOSFET漏源极间非线性电容的精确测量及建模，且适应范围较广。