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公开/公告号CN113107544B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.11.25
原文格式PDF
申请/专利权人 太原理工大学;
申请/专利号CN202110569738.X
发明设计人 冯国瑞;樊一江;王朋飞;郝晨良;文晓泽;郭军;白锦文;戚庭野;刘佳男;朱林俊;吴昌泉;
申请日2021.05.25
分类号E21D11/10;E21D20/02;E21C41/18;
代理机构太原市科瑞达专利代理有限公司;
代理人申艳玲
地址 030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号
入库时间 2022-12-29 02:02:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-25
授权
发明专利权授予
机译: 一种组装用于矫正一组牙齿的错牙合的装置的方法以及一种用于矫正错牙合的装置的装置
机译: 用于生产聚乙烯和/或乙烯的间位错和一种或多种其他单价与乙烯的间位错和这些间位错的混合物的方法。
机译: 逆行错进防止装置,逆行错进防止系统及道路逆行错进防止方法
机译:位错核心对bcc-iron中1/2 <111> i {110}边缘位错滑移的影响:嵌入式原子方法研究
机译:头颅测量与固定装置相关的下颌牵开装置(MPA)的结果与II级1级错牙合患者的牙槽和外皮结构相关
机译:使用具有嵌入式二氧化硅纳米球的V槽图案蓝宝石衬底减少外延GaN中的螺纹位错
机译:滑移系统中裂缝产生的位错和位错偶极的面内剪切
机译:一种新的O(N)方法,用于建模和模拟各向异性线性弹性介质中大量位错的行为。
机译:骨骼与常规口腔内锚固术治疗II类错牙合畸形:牙槽和骨骼的影响
机译:一种基于分布式位错和旋错的方法,用于耦合应力弹性中的裂纹问题
机译:alGaN外延层生长的alN模板中漏斗缺陷内的不稳定位错