公开/公告号CN114588917B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.09.23
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN202210224003.8
申请日2022.03.07
分类号B01J27/043;B01J37/10;B01J37/06;B01J37/08;B01J37/20;C02F1/72;C02F101/38;C02F101/34;
代理机构哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;
代理人侯静
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-09-26 23:22:45
机译: 二氧化锰3@N-掺杂多孔碳杂化类芬顿材料及其制备方法和应用
机译: N,S,P掺杂,D0轨道过渡金属氧化物负载碳催化剂,用于电芬顿反应体系的等级孔隙率,电极包括相同和电芬反应系统的电极
机译: 纳米颗粒上掺杂碳的涂覆方法,掺杂碳纳米结构的方法,掺杂碳包覆纳米颗粒的方法,用相同方法制备的掺杂碳纳米尺度结构及其用途