一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器及其制备方法

摘要

本发明属于微电子材料与半导体器件技术领域，具体涉及一种富氧缺位掺杂二氧化锆的忆阻器及其制备方法。该忆阻器自上而下依次为上电极、功能层、下电极和衬底，功能层由Zr和ZrO2相互掺杂而形成Zr:ZrO2‑x结构。其制备方法包括清洗衬底、在衬底上依次制备下电极、功能层和上电极；其中，功能层包括制备Zr薄膜和ZrO2薄膜，且制备顺序可互换，都可形成Zr:ZrO2‑x结构。这种结构通过控制Zr和ZrO2相互掺杂的比例使功能层处于缺氧状态，以提高ZrO2中电子的导电能力。本发明制备出的忆阻器具有稳定性好、导电性佳的优点，在微电子材料与半导体器件技术领域具有广阔的应用前景。