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公开/公告号CN111487667B
专利类型发明专利
公开/公告日2022.08.19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院高能物理研究所;
申请/专利号CN202010387948.2
发明设计人 况鹏;曹兴忠;于润升;王宝义;刘福雁;张鹏;刘进洋;魏龙;
申请日2020.05.09
分类号G01T1/36(2006.01);
代理机构北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386;
代理人马东伟
地址 100049 北京市石景山区玉泉路19号乙
入库时间 2022-09-26 23:16:11
机译: 用于测量正电子湮没寿命的装置,调整辐射测量仪的方法,以及辐射测量仪
机译: 用于正电子湮没特性的测量装置和测量方法
机译: 用于测量旋转装置位置装置的一个或多个几何和运动学参数的装置,以测量装置的几何中心的任何横向位移。用于测量旋转装置到装置装置的参考点组的基本瞬时角位置的旋转的装置当旋转装置绕旋转轴旋转时,实质上测量装置的velOcidade瞬时角旋转。旋转轴系支持X射线断层扫描法测定参数。与装有圆盘的设备的移动相关联的设备假定您在围绕旋转轴的旋转平面中旋转。
机译:利用LCS-γ射线的简化高能正电子湮没测量系统的简化高能正电子湮没测量系统的研制
机译:通过使用LCS Gamma-ray产生的高能正电子在新斯巴鲁的高能量正电子对散装非晶合金的正电子湮没多普勒拓宽测量
机译:正电子湮没寿命和多普勒扩大测量研究的正电子淬火
机译:通过使用LCS伽马射线的正电子湮没寿命谱测量来可视化多氧化物晶体中的多氧化物晶体缺陷
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机译:正电子 - R-40计算机正电子湮没测量评估系统