基于摩尔曲线的分形集总电容器及其制备方法

摘要

一种基于摩尔曲线的分形集总电容器及其制备方法，包括：沉积层，沉积在器件上；分形集总电容单元，设置在沉积层上；以及保护层，覆盖在分形集总电容单元和沉积层上，用于保护分形集总电容单元；其中，分形集总电容单元包括：摩尔分形组件、第一电极组件和第二电极组件；摩尔分形组件的线型为一维摩尔曲线；所述第一电极组件包围在所述摩尔分形组件一维摩尔曲线线型的外侧，且与所述摩尔分形组件连接，形成分形集总电容单元的第一电极；所述第二电极组件设置在所述第一电极组件与所述摩尔分形组件所形成的空隙处，形成分形集总电容单元的第二电极。本发明的电容结构采用单层金属工艺，具有面积小，电容值高的特点，适用于集成光电子芯片领域。