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黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法

摘要

本发明涉及一种黑体辐射源及一种黑体辐射源的制备方法。所述黑体辐射源包括一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面,其中,所述黑体辐射腔的内表面设置有一层黑漆和多个碳纳米管,该多个碳纳米管的一端浸没在所述黑漆中,另一端远离所述黑漆,且所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。所述黑体辐射源的制备方法包括以下步骤:提供一黑体辐射腔,该黑体辐射腔具有一内表面;在所述黑体辐射腔的内表面涂覆一层黑漆;在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管,该多个碳纳米管的一端浸没在所述黑漆中,另一端远离所述黑漆,且所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。

著录项

  • 公开/公告号CN110031107B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.08.16

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201810027427.9

  • 发明设计人 魏洋;王广;范守善;

    申请日2018.01.11

  • 分类号G01J5/00(2022.01);G01J5/53(2022.01);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

  • 入库时间 2022-09-26 23:16:07

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