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公开/公告号CN110607526B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国兵器科学研究院宁波分院;
申请/专利号CN201910839972.2
发明设计人 陈杰;刘光;郑子云;马冰;冯胜强;崔烺;贾利;
申请日2019-09-06
分类号C23C24/04(2006.01);C22C19/03(2006.01);C22C32/00(2006.01);
代理机构宁波诚源专利事务所有限公司 33102;
代理人袁忠卫
地址 315103 浙江省宁波市高新区凌云路199号
入库时间 2022-08-23 13:58:06
机译:纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构 Fabrication of Si-Based 1D,2D Ordered Nano Structure by Nanoimprint Lithography
机译:纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构
机译:(NWC-Ni)纳米涂层的制备方法研究
机译:一种形成金纳米粒子链状结构聚集体的新组装方法