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一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法

摘要

本发明公开了一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法,它包括取样板,所述取样板为n*n个硅锭槽焊接成的正方形结构;所述硅锭槽为表面开口的中空矩形体结构;取样板的所有硅锭槽表面开口方向相同。该发明通过对多晶硅锭电阻率抽样测试的方法进行规定和固化,并设计相应的抽样装置配套使用;在多晶硅锭测试过程中监控电阻率值的大小和分布,准确有效的将硅锭异常部分进行反馈并去除不合格部分,以达到保证多晶硅锭的电性能质量稳定的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN111337543B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202010286366.5

  • 发明设计人 郭兆满;王震;

    申请日2020-04-13

  • 分类号G01N27/04;

  • 代理机构宜昌市三峡专利事务所;

  • 代理人成钢

  • 地址 443007 湖北省宜昌市猇亭区南玻路1号

  • 入库时间 2022-08-23 13:52:10

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