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闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法

摘要

本发明公开了一种闪存装置和闪存存储管理方法,所述闪存存储管理方法包括:提供闪存模块,所述闪存模块包括多个单层单元数据区块以及多层单元数据区块;将欲写入的数据分类为多个数据群;分别执行单层单元数据写入以及执行类似容错式磁盘阵列错误更正编码操作产生对应的校验码,以将所述多个数据群以及所述对应的校验码写入至所述多个单层单元数据区块;当完成所述多个单层单元数据区块的写入时,执行内部复制,将所述多个单层单元数据区块所存储的所述多个数据群以及所述对应校验码,依所述多个单层单元数据区块存储顺序,依序写入至所述多层单元数据区块。只需使用极低数据空间作为存储相对应错误更正校验码之用,闪存数据空间使用效率更高。

著录项

  • 公开/公告号CN111710358B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 慧荣科技股份有限公司;

    申请/专利号CN202010384012.4

  • 发明设计人 杨宗杰;许鸿荣;

    申请日2017-04-26

  • 分类号G11C29/42;G11C29/44;G11C11/56;G11C16/10;G06F3/06;G06F11/10;G06F12/02;G06F12/0804;G11C16/26;

  • 代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司;

  • 代理人江耀纯

  • 地址 中国台湾新竹县

  • 入库时间 2022-08-23 13:46:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-03

    授权

    发明专利权授予

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