首页> 中国专利> 多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块

多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块

摘要

本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S=[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间,因此,保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是,即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下,也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。

著录项

  • 公开/公告号CN106573784B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 信越化学工业株式会社;

    申请/专利号CN201580044611.9

  • 申请日2015-07-29

  • 分类号C01B33/035;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人鲁雯雯;金龙河

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 13:44:33

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号