二硫化钼/氧化铈复合气敏结构的制备方法及其在气敏涂层、元件和传感器中的应用

摘要

本发明涉及半导体氧化物气敏材料技术领域，特别涉及二硫化钼/氧化铈复合气敏结构的制备方法及其在气敏涂层、元件和传感器中的应用。本发明采用二次水热制备出修饰有CeO2纳米颗粒且具有大比表面积的由许多蠕虫状胶束组成的MoS2纳米花；随后将MoS2/CeO2复合结构经过管式炉热处理后，在叉指电极上制备出MoS2/CeO2气敏涂层，最后经老化台热处理，得到基于MoS2/CeO2的乙醇气敏元件。该气敏元件在室温下获得对30ppm乙醇气体的最大灵敏度5.2，响应时间和恢复时间分别为7s和5s，可逆性和选择性好，响应/恢复速度快，采用二次水热这种简单、低成本的制备方法，将CeO2纳米颗粒成功地紧密附着在MoS2纳米花上，大幅度地降低了功能型MoS2/CeO2纳米结构的制备成本。