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一种改善复合薄膜表面极化反转现象的方法及复合薄膜

摘要

本申请公开一种改善复合薄膜表面极化反转现象的方法及复合薄膜,属于半导体制备领域,所述方法利用离子注入‑键合法或者键合‑减薄法,制备复合薄膜,其中,包括制备得到键合体以及对所述键合体热处理的步骤;其中,在对所述键合体热处理的过程中,通过UV紫外灯向所述铁电晶圆表面照射。UV紫外灯可以为键合体提供必要的光生载流子,从而提高键合体的导电率,这样,在热处理过程中,足够的紫外光照射可以有效的导走键合体内积聚的电荷,防止产生极化反转现象,从而保证制备得到的复合薄膜具有良好的压电性、热释电性及电光调制效率。

著录项

  • 公开/公告号CN114214732B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南晶正电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202210159139.5

  • 申请日2022-02-22

  • 分类号C30B33/00;C30B33/02;C30B29/30;

  • 代理机构北京弘权知识产权代理有限公司;

  • 代理人逯长明;许伟群

  • 地址 250100 山东省济南市高新区港兴三路北段1号济南药谷研发平台1号楼B1806

  • 入库时间 2022-08-23 13:33:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-22

    公开

    发明专利申请公布

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