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公开/公告号CN110255620B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-01
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201910386725.1
发明设计人 赵九蓬;王亚蕾;郑远川;李垚;
申请日2019-05-09
分类号C01G41/02(20060101);B82Y40/00(20110101);C03C17/34(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人岳泉清
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2022-08-23 13:23:04
机译:纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构 Fabrication of Si-Based 1D,2D Ordered Nano Structure by Nanoimprint Lithography
机译:纳米压印技术制备硅基有序一维、二维纳米结构
机译:掺碳铌酸钾纳米片超级电容器电极材料的制备及性能研究
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机译:钨青铜结构弛豫型铁电陶瓷Sr0.5Ba0.5Nb2O6的制备及其场致热释电行为