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一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法

摘要

一种二维钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法,它涉及一种钨基纳米片液晶的制备方法及利用其制备钨基纳米片电致变色薄膜材料的方法。本发明的目的是要解决现有方法难以制备二维钨基纳米片液晶的问题。二维钨基纳米片液晶的制备方法:一、制备质子交换反应后的层状材料;二、制备插层反应后的层状材料;三、机械剥离,得到二维钨基纳米片液晶。利用旋涂仪将二维钨基纳米片液晶旋涂到氧化铟锡导电玻璃上,再置于干燥箱中干燥,得到钨基纳米片电致变色薄膜材料。本发明可获得一种二维钨基纳米片液晶及钨基纳米片电致变色薄膜材料。

著录项

  • 公开/公告号CN110255620B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201910386725.1

  • 发明设计人 赵九蓬;王亚蕾;郑远川;李垚;

    申请日2019-05-09

  • 分类号C01G41/02(20060101);B82Y40/00(20110101);C03C17/34(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人岳泉清

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 13:23:04

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