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一种栅源阻抗动态调节主动均流的SiC MOSFET并联驱动电路

摘要

本发明公开了一种栅源阻抗动态调节主动均流的SiCMOSFET并联驱动电路,通过测量分流器的压降来间接测量电流;采用差分放大隔离电路实现测量信号的隔离和差分放大;采用电流差值反馈电路进行电流差值处理和信号反馈;采用NPN三极管、电阻、电容构成栅源低阻抗电路,结合反馈信号,实现驱动回路阻抗的动态调节。本发明能够有效地抑制电路中由于器件参数不一致、杂散电感较大等原因导致的SiCMOSFET并联不均流现象,达到主动均流的目的,具有调节性能好、实时性强、成本低等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN113315353B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南通大学;

    申请/专利号CN202110701356.8

  • 申请日2021-06-24

  • 分类号H02M1/088(20060101);

  • 代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人吴旭

  • 地址 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号

  • 入库时间 2022-08-23 13:22:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-01

    授权

    发明专利权授予

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