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一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法

摘要

一种超高深宽比金属微柱阵列的制作方法,属于微制造技术领域。基于UV‑LIGA技术,在不锈钢基底上,将传统的高深宽比微柱的制作工艺转化为高宽深比微结构的制作工艺,从而将“超高深宽比微盲孔结构的显影和微电铸”转化为“微沟槽的显影和微电铸”,制作过程中避免了高深宽比带来的传质难度;利用叠层光刻胶工艺,通过多次SU‑8光刻胶套刻、微电铸镍、溅射铜导电层以及铸后平坦化处理,将微柱阵列与底板制作得到;利用真空退火工艺降低铸层的内应力,并提高铸层之间的结合力。本发明解决了深宽比大于或远大于10:1的超高深宽比金属微柱阵列的制作难题,并且微柱深宽比越大,本发明的有益效果越明显。另外,本发明具有微柱与背板结合力强、铸层之间结合力强等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111621816B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN202010458143.2

  • 申请日2020-05-27

  • 分类号C25D1/00(20060101);C25D1/10(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/16(20060101);B33Y10/00(20150101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人李晓亮;潘迅

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2022-08-23 13:21:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-29

    授权

    发明专利权授予

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