首页> 中国专利> 离子注入方法及离子注入机

离子注入方法及离子注入机

摘要

本发明公开了一种离子注入方法,包括步骤:步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上;步骤二、采用点状离子束流对晶圆进行离子注入,包括分步骤:步骤21、点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流;步骤22、对晶圆进行旋转,采用扫描离子束流对旋转的晶圆进行离子注入从而在晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。本发明能实现对离子注入分布进行精确控制以及提高离子注入的均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN110797247B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201911062928.1

  • 发明设计人 周真真;刘厥扬;胡展源;

    申请日2019-10-31

  • 分类号H01J37/30(20060101);H01J37/302(20060101);H01J37/317(20060101);H01L21/265(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭四华

  • 地址 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2022-08-23 13:17:28

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号