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一种横向调制KDP型电光Q开关

摘要

本发明提供了一种横向调制KDP型电光Q开关,其特征在于:将两块相同的KDP型晶体组合,所述KDP型晶体切型为,其中x、z代表KDP型晶体的各晶轴,l、b分别代表切割晶体的长度和宽度方向,角度θ的取值范围为,所述KDP型晶体的长度方向为通光方向、厚度方向为加电场方向。本发明电光Q开关的半波电压可调,开关形状和电极均易制备,电场更加均匀,因而消光比更高,并且本发明电光Q开关的自然双折射及其受温度的影响更小,对匹配用两晶体的长度偏差、温度偏差等要求更低,容许范围更大,更加实用。

著录项

  • 公开/公告号CN112421372B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河南工程学院;

    申请/专利号CN202011598774.0

  • 申请日2020-12-30

  • 分类号H01S3/115(20060101);

  • 代理机构41125 郑州优盾知识产权代理有限公司;

  • 代理人王红培

  • 地址 451191 河南省郑州市新郑市龙湖镇祥和路1号

  • 入库时间 2022-08-23 13:17:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    授权

    发明专利权授予

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