一种低噪声带隙基准电路

摘要

本发明公开一种低噪声带隙基准电路，属于模拟电路领域。所述低噪声带隙基准电路包括电流源S1，PNP三极管Q1～Q9，PMOS管M1～M8，NMOS管M9～M11，电阻R1和R2，其中PNP三极管Q1、Q2，Q3和NMOS管M9～M11构成放大器结构。通过该种结构的连接方式，可实现基准电压VREF与温度和电源电压的变化无关，降低噪声和晶体管失配电压的影响，在一定温度和偏置电流范围内保持恒定输出电压。