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多晶硅沉积方法及用于其的沉积装置

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摘要

本发明涉及一种利用模组移动方式的多晶硅沉积方法及用于所述多晶硅沉积方法的沉积装置。

公开/公告号CN106367728B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-03-01

原文格式PDF
申请/专利权人成均馆大学校产学协力团;
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申请/专利号CN201610575931.3
发明设计人徐祥准;
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申请日2016-07-20
分类号C23C16/24(20060101);C23C16/513(20060101);C23C16/56(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构11410 北京市中伦律师事务所;
代理人石宝忠
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 10:27:15

1. 多晶硅沉积方法及用于该方法的沉积装置 [P] . 中国专利： CN106373881A . 2017-02-01
2. 多晶硅沉积方法及用于其的沉积装置 [P] . 中国专利： CN106373908B . 2019.07.02
3. GASEOUS MIXTURE FOR ETCHING POLYSILICON LAYER AND METHOD AND ETCHING POLYSILICON ELECTRODE LAYER BY USING IT [P] . 日本专利： JPH1140542A . 1999-02-12

机译：用于气相沉积多晶硅层的方法和方法以及用于气相沉积多晶硅电极层的方法
4. APPARATUS FOR MANUFACTURING POLYSILICON CAPABLE OF DEPOSITING POLYSILICON OF SUPERIOR SURFACE STATE AND INCREASING THE DEPOSITION EFFICIENCY OF REACTIVE GAS [P] . 韩国专利： KR20120073658A . 2012-07-05

机译：用于制造具有能沉积高级表面状态的多晶硅并提高反应气体的沉积效率的多晶硅的装置
5. Apparatus for deposition of polycrystalline silicon comprising uniformly spaced filament rods and gas inlet orifices, and process for deposition of polycrystalline silicon using same [P] . 美国专利： US9534290B2 . 2017-01-03

机译：包括均匀间隔的细丝棒和进气孔的用于沉积多晶硅的设备以及使用该设备沉积多晶硅的方法