公开/公告号CN104025060B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-27
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201180075116.6
申请日2011-09-30
分类号G06F12/0804(20160101);G06F12/0868(20160101);G06F12/0897(20160101);G06F11/10(20060101);G06F13/14(20060101);G06F13/16(20060101);G06F13/40(20060101);G06F13/42(20060101);G06F9/46(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人谢攀;马永利
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:57:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-27
授权
授权
2014-10-08
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 12/08 申请日:20110930
实质审查的生效
2014-09-03
公开
公开
机译: 考虑到电池位置,补偿近电池和远电池之间的工作电压差的半导体存储器,以及包括该存储器的存储器和存储器系统
机译: 在第一模式下支持分区存储器阵列的并发存储器访问并且在第二模式下支持对整个存储器阵列的非并发存储器访问的通信系统。
机译: 支持近距离存储器和远距离存储器访问的存储器通道