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一种基于多波长成像的硅晶圆无损双面检测设备

摘要

本实用新型公开了一种基于多波长成像的硅晶圆无损双面检测设备,其是在暗室的中间位置设置用于放置待检测硅晶圆的检测平台,在检测平台的上、下、左、右四个方向处分别设置特定光波长的LED环形光源,在待检测硅晶圆的正上方设置光学凸透镜,在凸透镜的正上方设置两个光电探测器以及带动光电探测器移动的电动滑台。本实用新型的设备具备对硅晶圆上下表面同时成像的功能,可实现对硅晶圆的无损双面检测。

著录项

  • 公开/公告号CN218766592U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2023-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 合肥工业大学;

    申请/专利号CN202223207992.4

  • 发明设计人 王莉;曹璐;张爽;胡轶航;冯熠;

    申请日2022-11-30

  • 分类号G01N21/01;G01N21/88;G03B15/02;

  • 代理机构安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;

  • 代理人卢敏

  • 地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

  • 入库时间 2023-04-14 18:31:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-28

    授权

    实用新型专利权授予

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