公开/公告号CN218232568U
专利类型实用新型
公开/公告日2023-01-06
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州铠欣半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202222085668.3
申请日2022-08-09
分类号C23C16/44;
代理机构长沙轩荣专利代理有限公司;
代理人丛诗洋
地址 215127 江苏省苏州市苏州工业园区现代大道88号物流大厦(112)-242室
入库时间 2023-01-12 18:58:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-01-06
授权
实用新型专利权授予
机译: 化学气相沉积的支持者,能够防止因不均匀加热而生长半导体的物质,一种化学气相沉积设备,以及一种使用化学气相沉积设备的加热方法
机译: 化学气相沉积法,该化学气相沉积法是将化学气相沉积用作原料,并将化学气相沉积用于由有机钌化合物制成的原料
机译: 化学气相沉积原料,包括有机钌化合物,以及使用所述化学气相沉积原料的化学气相沉积方法