法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-21
避免重复授予专利权 IPC(主分类):F16J15/16 授权公告日:20180202 放弃生效日:20180921 申请日:20170621
避免重复授权放弃专利权
2018-02-02
授权
授权
机译: 一种在绝缘层上使用选择性硅表皮生长(SEG)制作低泄漏DRAM结构的方法
机译: 一种在绝缘层上使用选择性硅表皮生长(SEG)制作低泄漏DRAM结构的方法
机译: 一种在绝缘层上使用选择性硅表皮生长(SEG)制作低泄漏DRAM结构的方法