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一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器

摘要

本实用新型公开了一种能够抑制传导发射和辐射发射的EMI滤波器,期结构为双腔体屏蔽结构,电路部分由设置在一个腔体内的传导发射部分滤波器和设置在另一个腔体内的辐射发射部分滤波器组成;所述辐射发射部分滤波器是由连接器、X2Y电容安装板、上磁珠、下磁珠、上馈通电容、下馈通电容组成的π型滤波电路,所述连接器和X2Y电容安装板构成滤波连接器,所述连接器的输出线分别与上磁珠和下磁珠连接,所述上磁珠和下磁珠分别与上馈通电容和下馈通电容连接,所述传导发射部分滤波器和所述辐射发射部分滤波器是通过上馈通电容和下馈通电容相互连接,本实用新型的优点是可同时解决抑制传导发射和辐射发射的世界性技术难题,具有较强的实用价值和现实意义。

著录项

  • 公开/公告号CN202679327U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-01-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都必控科技股份有限公司;区健昌;

    申请/专利号CN201220183145.6

  • 发明设计人 区健昌;盛杰;

    申请日2012-04-26

  • 分类号

  • 代理机构北京中海智圣知识产权代理有限公司;

  • 代理人曾永珠

  • 地址 610000 四川省成都市高新区世纪城南路216号天府软件园D5楼14层

  • 入库时间 2022-08-21 23:40:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-03-11

    避免重复授权放弃专利权 IPC(主分类):H03H9/46 授权公告日:20130116 放弃生效日:20150311 申请日:20120426

    避免重复授权放弃专利权

  • 2013-01-16

    授权

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