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具有基本上正交的钉扎方向的双轴磁场传感器

摘要

一种制造处理和装置从两种差分传感器配置(502、512)提供了高性能的磁场传感器(200),只需要由蚀刻成高纵横比形状的单个参考层形成的两个不同的钉扎轴,其长轴(506、516)关于不同的朝向延伸,使得所述高纵横比构图提供迫使每个构图形状的磁化沿其各自期望的轴松弛的形状各向异性。当加热和冷却时,铁磁膜通过以下中的一个被钉扎到不同的期望方向:1)在淀积步骤过程中修改参考层固有的各向异性,2)当蚀刻时,以与另一个构图形状的长轴的非正交角度形成一个构图形状的长轴,或者3)当钉扎参考层时施加补偿场。

著录项

  • 公开/公告号CN102460575B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾沃思宾技术公司;

    申请/专利号CN201080026087.X

  • 发明设计人 P·马瑟;J·斯劳特;

    申请日2010-04-16

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人陈华成

  • 地址 美国亚利桑那

  • 入库时间 2022-08-23 09:25:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-22

    授权

    授权

  • 2012-06-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/33 申请日:20100416

    实质审查的生效

  • 2012-05-16

    公开

    公开

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