一种门窗生产计划调度分级系统及余料嵌套加工调用系统

摘要

本发明公开了一种门窗生产计划调度分级系统及余料嵌套加工调用系统，包括处理模块，其特征在于，所述处理模块包括第一输入端、第二输入端、第三输入端、第一PMOS管、第二发光二极管、第三三极管、第四发光二极管、第五二极管、第六三极管、第七发光二极管、第一电阻、第二电阻，所述第一PMOS管源极和第一输入端连接，第一PMOS管漏极和第二发光二极管阳极连接，第一PMOS管栅极和第二输入端、第三三极管基极、第三三极管集电极、第一电阻一端连接。

说明书

技术领域

本发明涉及生产技术领域，特别涉及一种门窗生产计划调度分级系统及余5料嵌套加工调用系统。

背景技术

企业中的业务部门在接收订单后会将订单内容发送到生产部门，生产部门会根据订单内容拟定生产计划，并根据对同一时间段的生产计划进行分级，根

据不同级别的生产计划进行依次排产，而分级标准可以决定着排产的优先次序，0当加入新的生产计划时，需要花费大量的计划人员精力去做临时性调整，调整前也要确定新增生产计划的排产次序以及确定当前在先的计划是否以经处于备料或排产中，其过程需要与各个部门进行协调沟通，增加管理成本。

发明内容

针对上述技术问题，本发明的目的是提供一种门窗生产计划调度分级系统5及余料嵌套加工调用系统，包括处理模块，所述处理模块包括第一输入端IN1、第二输入端IN2、第三输入端IN3、第一PMOS管D1、第二发光二极管D2、第三三极管D3、第四发光二极管D4、第五二极管D5、第六三极管D6、第七发光二极管D7、第一电阻R1、第二电阻R2，所述第一PMOS管D1源极和第

一输入端IN1连接，第一PMOS管D1漏极和第二发光二极管D2阳极连接，0第一PMOS管D1栅极和第二输入端IN2、第三三极管D3基极、第三三极管D3集电极、第一电阻R1一端连接，第一电阻R1另一端和接地端连接，第二发光二极管D2阴极和接地端连接，第三三极管D3发射极和第四发光二极管D4阳极连接，第四发光二极管D4阴极和第二电阻R2一端、第五二极管D5

阴极连接，第二电阻R2另一端和接地端连接，第五二极管D5阳极和第三输入5端IN3、第六三极管D6集电极、第六三极管D6基极连接，第六三极管D6发射极和第七发光二极管D7阳极连接，第七发光二极管D7阴极和接地端连接。

进一步的，所述处理模块还包括第三电阻R3、第四电阻R4、第一输出端OUT1、第二输出端OUT2、第三输出端OUT3，所述第三电阻R3串接在第二发光二极管D2阴极和接地端之间，第四电阻R4串接在第七发光二极管D7阴极和接地端之间，第一输出端OUT1串接在第二发光二极管D2阴极和第三电阻R3之间，第二输出端OUT2串接在第四发光二极管D4阳极和第三三极管D3发射极之间，第三输出端OUT3串接在第七发光二极管D7阴极和第四电阻R4之间。

进一步的，所述处理模块还包括第八PMOS管D8、第九二极管D9、第十PMOS管D10、第十一光电三极管D11、第十二光电三极管D12、第一继电器K1、第四输入端IN4，所述第八PMOS管D8源极和漏极串接在第二输入端IN2和第一PMOS管D1栅极之间，第八PMOS管D8栅极和第九二极管D9阳极连接，第九二极管D9阴极和第十PMOS管D10栅极、第十一光电三极管D11发射极连接，第十PMOS管D10源极和漏极串接在第三输入端IN3和第五二极管D5阳极之间，第十一光电三极管D11和第四发光二极管D4组成第一光耦模块，第十一光电三极管D11集电极和第四输入端IN4连接，第十二光电三极管D12和第二发光二极管D2组成第二光耦模块，第十二光电三极管D12集电极和第四输入端IN4连接，第十二光电三极管D12发射极和第一继电器K1辅助常闭触点一端连接，第一继电器K1辅助常闭触点另一端和第八PMOS管D8栅极连接，第一继电器K1线圈一端和第十一光电三极管D11发射极连接，另一端和接地端连接。

进一步的，所述处理模块还包括第十三二极管D13，所述第十三二极管D13阳极和阴极串接在第十一光电三极管D11发射极和第十PMOS管D10栅极之间。

进一步的，所述处理模块还包括第十四二极管D14，所述第十四二极管D14阳极和阴极串接在第八PMOS管D8漏极和第一PMOS管D1栅极之间。

进一步的，所述处理模块还包括第十五二极管D15，所述第十五二极管D15阳极和第六三极管D6集电极连接，第十五二极管D15阴极和第一PMOS管D1栅极连接。

进一步的，所述处理模块还包括第一电容C1，所述第一电容C1一端和第四输入端IN4连接，另一端和接地端连接。

进一步的，所述处理模块还包括第五电阻R5，所述第五电阻R5一端和第十PMOS管D10栅极连接，另一端和接地端连接。

进一步的，所述处理模块还包括第六电阻R6一端和第八PMOS管D8栅极连接，另一端和接地端连接。

本发明与现有技术相比的有益效果是：

通过处理模块对输入不同优先级信号的生产计划进行乱序处理，使其小于优先级的信号进行滞后，并在生产执行期间锁定其输入端所对应的滞后功能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的一种门窗生产计划调度分级系统及余料嵌套加工调用系统结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行具体说明，应当理解，以下文字仅仅用以描述本发明的一种或几种具体的实施方式，并不对本发明具体请求的保护范围进行严格限定。

参阅附图，本发明是一种门窗生产计划调度分级系统及余料嵌套加工调用系统，包括处理模块，所述处理模块包括第一输入端IN1、第二输入端IN2、第三输入端IN3、第一PMOS管D1、第二发光二极管D2、第三三极管D3、第四发光二极管D4、第五二极管D5、第六三极管D6、第七发光二极管D7、第一电阻R1、第二电阻R2，所述第一PMOS管D1源极和第一输入端IN1连接，第一PMOS管D1漏极和第二发光二极管D2阳极连接，第一PMOS管D1栅极和第二输入端IN2、第三三极管D3基极、第三三极管D3集电极、第一电阻R1一端连接，第一电阻R1另一端和接地端连接，第二发光二极管D2阴极和接地端连接，第三三极管D3发射极和第四发光二极管D4阳极连接，第四发光二极管D4阴极和第二电阻R2一端、第五二极管D5阴极连接，第二电阻R2另一端和接地端连接，第五二极管D5阳极和第三输入端IN3、第六三极管D6集电极、第六三极管D6基极连接，第六三极管D6发射极和第七发光二极管D7阳极连接，第七发光二极管D7阴极和接地端连接：

通过第一输入端IN1、第二输入端IN2、第三输入端IN3输入生产计划的优先级信号，为防止生产计划优先级信号输入日期不同，无法对在后输入的优先级信号进行乱序处理，第一输入端IN1的信号经第一PMOS管D1和第二发光二极管D2，第二发光二极管D2导通指示工作人员当前信号所对应的需要调出执行的生产计计划，既第二输入端IN2和第三输入端IN3无生产计划可以对第一输入端IN1计划进行排产，第二输入端IN2输入信号时，第二输入端IN2信号到达第一PMOS管D1使第一PMOS管D1栅极到源极小于导通阈值的负压差，第一PMOS管D1截止，对第一输入端IN1的生产计划优先级信号进行滞后处理，同时第二输入端IN2的信号到达第三三极管D3基极，第三三极管D3导通，信号经第三三极管D3集电极、发射极到达第四发光二极管D4，第四发光二极管D4导通指示工作人员当前信号所对应的需要调出执行的生产计计划，第三输入端IN3输入信号时，信号一路先经过第六三极管D6基极，使第六三极管D6处于导通状态，随后信号经第六三极管D6集电极、发射极到达第七发光二极管D7，第七发光二极管D7导通指示工作人员当前信号所对应的需要调出执行的生产计计划，同时信号经第五二极管D5到达第二电阻R2，使第四发光二极管D4钳位，第四发光二极管D4截止，对第二输入端IN2的生产计划优先级信号进行滞后处理，为防止第二输入端IN2无信号输入时，第一输入端IN1存在信号会导致指示异常使第二发光二极管D2同时与第七发光二极管D7对工作人员进行指示，因此第三输入端IN3进入第六三极管D6集电极的信号还会到达第一PMOS管D1栅极，使第一PMOS管D1截止，防止第一输入端IN1生产计划优先级信号无法进行滞后。

具体地，所述处理模块还包括第三电阻R3、第四电阻R4、第一输出端OUT1、第二输出端OUT2、第三输出端OUT3，所述第三电阻R3串接在第二发光二极管D2阴极和接地端之间，第四电阻R4串接在第七发光二极管D7阴极和接地端之间，第一输出端OUT1串接在第二发光二极管D2阴极和第三电阻R3之间，第二输出端OUT2串接在第四发光二极管D4阳极和第三三极管D3发射极之间，第三输出端OUT3串接在第七发光二极管D7阴极和第四电阻R4之间：

考虑到指示过程需要现场监管记录在下发执行，设置第一输出端OUT1、第二输出端OUT2、第三输出端OUT3进行信号输出，为防止第一输出端OUT1和第三输出端OUT3信号传递异常，设置第三电阻R3和第四电阻R4对第一输出端OUT1、第三输出端OUT3的信号进行上拉处理，稳定信号输出。

具体地，所述处理模块还包括第八PMOS管D8、第九二极管D9、第十PMOS管D10、第十一光电三极管D11、第十二光电三极管D12、第一继电器K1、第四输入端IN4，所述第八PMOS管D8源极和漏极串接在第二输入端IN2和第一PMOS管D1栅极之间，第八PMOS管D8栅极和第九二极管D9阳极连接，第九二极管D9阴极和第十PMOS管D10栅极、第十一光电三极管D11发射极连接，第十PMOS管D10源极和漏极串接在第三输入端IN3和第五二极管D5阳极之间，第十一光电三极管D11和第四发光二极管D4组成第一光耦模块，第十一光电三极管D11集电极和第四输入端IN4连接，第十二光电三极管D12和第二发光二极管D2组成第二光耦模块，第十二光电三极管D12集电极和第四输入端IN4连接，第十二光电三极管D12发射极和第一继电器K1辅助常闭触点一端连接，第一继电器K1辅助常闭触点另一端和第八PMOS管D8栅极连接，第一继电器K1线圈一端和第十一光电三极管D11发射极连接，另一端和接地端连接：

为防止第一输入端IN1、第二输入端IN2、第三输入端IN3在生产计划的执行期间对其输入信号，导致正在执行生产的计划与其后的生产计划发生冲突，在生产计划执行期间锁定对第一输入端IN1、第二输入端IN2、第三输入端IN3的信号滞后处理功能，并在执行完毕后进行复位，复位将恢复优先级滞后处理，实现原理是当生产计划执行时，将生产信号到第四输入端IN4，而第一输入端IN1存在信号时，使第二发光二极管D2导通并和第十二光电三极管D12进行耦合，第四输入端IN4信号经第十二光电三极管D12集电极、发射极后分两路到达第八PMOS管D8栅极和第九二极管D9阳极，到达第八PMOS管D8栅极的信号使第八PMOS管D8栅极到源极小于导通负压差第八PMOS管D8截止，实现停止第二输入端IN2输入信号后对第一输入端IN1进行滞后处理，到达第九二极管D9阳极的信号会经第九二极管D9阴极进入第十PMOS管D10栅极，第十PMOS管D10栅极到源极小于导通负压差第一PMOS管D1O截止，在实现停止第三输入端IN3对第二输入端IN2和第一输入端IN1的信号滞后处理，但为防止在第二输入端IN2存在信号后进入排产阶段时，第四输入端IN4进入第八PMOS管D8的信号会导致滞后处理的功能锁定失败，设置第一继电器K1，第四输入端IN4在经第十二光电三极管D12集电极、发射极的信号会通过第一继电器K1常闭辅助触点进入第八PMOS管D8，当第二输入端IN2存在信号后进入排产阶段时，第四发光二极管D4和第十一光电三极管D11光耦合导通，第四输入端IN4信号经过第十一光电三极管D11集电极、发射极达到第十PMOS管D10栅极，第十PMOS管D10栅极到源极小于导通负压差第一PMOS管D1O截止，而第九二极管D9阴极电位大于第九二极管D9阳极电位，同时第十一光电三极管D11发射极信号还会到达第一继电器K1线圈，第一继电器K1闭合使第一继电器K1辅助常闭触点断开，使第八PMOS管D8可持续导通，维持锁定状态。

具体地，所述处理模块还包括第十三二极管D13，所述第十三二极管D13阳极和阴极串接在第十一光电三极管D11发射极和第十PMOS管D10栅极之间：

为防止第一输入端IN1信号所对应的生产计划在执行时，第四输入端IN4的信号会经后级电路导致第四输入端IN4信号无法正常输出，既第四输入端IN4信号会经第十二光电三极管D12、第一继电器K1常闭辅助触点的信号会经第九二极管D9到达第十PMOS管D10后使第一继电器K1线圈闭合，导致第四输入端IN4信号无法正常输出，设置第十三二极管D13，可以让第四输入端IN4的信号到达第十PMOS管D10栅极的同时，使第十三二极管D13阴极电位高于第十三二极管D13阳极电位，截停第四输入端IN4信号进入后级电路。

具体地，所述处理模块还包括第十四二极管D14，所述第十四二极管D14阳极和阴极串接在第八PMOS管D8漏极和第一PMOS管D1栅极之间：

考虑到第三输入端IN3的信号到达第一PMOS管D1栅极的同时会经过第三三极管D3集电极，设置第十四二极管D14防止第三三极管D3导通后使第五二极管D5的阳极电位大于阴极导通电位差，第四发光二极管D4出现指示异常。

具体地，所述处理模块还包括第十五二极管D15，所述第十五二极管D15阳极和第六三极管D6集电极连接，第十五二极管D15阴极和第一PMOS管D1栅极连接：

考虑到第二输入端IN2信号会通过经第八PMOS管D8到达第六三极管D6基极，设置第十五二极管D15防止第六三极管D6导通后压降使第一PMOS管D1失灵一级第七发光二极管D7的指示异常。

具体地，所述处理模块还包括第一电容C1，所述第一电容C1一端和第四输入端IN4连接，另一端和接地端连接：

考虑到第四输入端IN4信号所经过的线路出现干扰，设置第一电容C1进行抗干扰。

具体地，所述处理模块还包括第五电阻R5，所述第五电阻R5一端和第十PMOS管D10栅极连接，另一端和接地端连接。

具体地，所述处理模块还包括第六电阻R6一端和第八PMOS管D8栅极连接，另一端和接地端连接：

设置第五电阻R5、第六电阻R6为第十PMOS管D10和第八PMOS管D8寄生电容进行放电，防止MOS管出现死区。