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公开/公告号CN115896739A
专利类型发明专利
公开/公告日2023-04-04
原文格式PDF
申请/专利权人 山东省科学院新材料研究所;
申请/专利号CN202210695021.4
发明设计人 张静;赵志岩;李东玮;李勇;李雨果;高萌;姜晓萍;陶圆;张兴双;
申请日2022-06-20
分类号C23C16/27;C23C16/02;H01G11/30;H01G11/86;
代理机构北京兴智翔达知识产权代理有限公司;
代理人郭卫芹
地址 250014 山东省济南市历下区科院路19号
入库时间 2023-06-19 19:13:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-04-04
公开
发明专利申请公布
机译: 掺硼金刚石薄膜及其制备方法,油水分离元素,水处理电极及其制备方法和水处理装置
机译: 掺硼金刚石电极及其制备方法与应用
机译: 掺硼金刚石电极及其制备方法和应用
机译:一种在掺硼金刚石(BDD)衬底上制备双金属(Pt–Au)纳米颗粒的新方法:在氧还原反应中的应用
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机译:利用BF_3制备掺硼金刚石薄膜及半导电金刚石电极的电化学行为
机译:掺硼金刚石薄膜电极的结构-功能关系及其在体外安培测量中的应用。
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机译:掺硼CVD金刚石薄膜。第一部分历史,生产和表征硼掺杂CVD金刚石薄膜。第一部分。历史,生产和表征
机译:高强度脉冲离子束沉积制备类金刚石碳和氮化硼薄膜