一种基于新型二维半金属材料的宽波段光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于新型二维半金属材料的宽波段光电探测器及其制备方法，本发明涉及光电探测器制备技术领域。该方法包括以下步骤：将3d磁性过渡金属粉、Ta粉和Te粉混合，研磨，制得混合原料；投入石英管中，加入碘，抽真空密封，加热，同时建立的温差，保持一周，冷却至室温，然后在低温区获取的晶体材料中挑选，得到纯相的目标单晶样品；采用机械剥离法解离到薄层，并转移到基底上，然后与刻有电极图案的掩模版进行贴合与固定，然后蒸镀Cr/Au电极，制得基于新型二维半金属材料的宽波段光电探测器。其光电探测的范围有望拓展到远红外光区甚至是太赫兹波段。