用于引退存储器系统的块的技术

摘要

本申请案是针对用于引退存储器系统的块的技术。在一些实例中，存储器系统或存储器装置的方面可被配置成确定存储器单元块的错误。在确定发生所述错误之后，所述存储器系统可即刻识别与所述块相关联的一或多个操作条件。举例来说，所述存储器系统可确定所述块的温度、所述块的循环计数、所述块经历错误的次数、所述块的位错误率和/或相关联系统中的可用块的数量。取决于是否满足与相应操作条件相关联的准则，可启用或引退所述块。

说明书

本专利申请主张何(He)等人于2022年1月19日提交的标题为“用于引退存储器系统的块的技术(TECHNIQUES FOR RETIRING BLOCKS OF A MEMORY SYSTEM)”的第17/648,396号美国专利申请案，以及何等人于2021年8月13日提交的名称为“用于管理存储器系统的暂时引退块的技术(TECHNIQUES FOR MANAGING TEMPORARILY RETIRED BLOCKS OF AMEMORY SYSTEM)”的第63/233,065号美国临时专利申请案的优先权，所述每一篇专利申请案均转让给本受让人且以全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及用于引退存储器系统的块的技术。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为通常对应于逻辑1或逻辑0的两个支持状态中的一个。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个可能的状态，所述状态中的任一者可由存储器单元存储。为了存取由存储器装置存储的信息，组件可读取或感测存储器装置内的一或多个存储器单元的状态。为了存储信息，组件可以将存储器装置内的一或多个存储器单元写入或编程到对应状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、3维交叉点存储器(3D交叉点)、“或非”(NOR)和“与非”(NAND)存储器装置等。存储器装置可以是易失性或非易失性的。除非由外部电源周期性更新，否则易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可随时间推移而丢失其编程状态。非易失性存储器单元(例如，NAND存储器单元)即使在不存在外部电源的情况下仍可在很长一段时间内维持其编程状态。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包括存储器装置，其包括存储器单元块；和控制器，其与所述存储器装置耦合且被配置成致使所述设备：确定所述存储器单元块的至少一个错误的发生；至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器单元块相关联的一或多个操作条件；至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生以及识别与所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件，确定是否引退所述存储器单元块；和至少部分地基于所述存储器单元块包含所述至少一个错误以及与所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件满足准则，引退所述存储器单元块。

描述一种非暂时性计算机可读媒体。所述非暂时性计算机可读媒体可存储包括指令的代码，所述指令在由电子装置的处理器执行时致使所述电子装置：确定存储器系统的存储器单元块的至少一个错误的发生；至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的一或多个操作条件；至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生以及识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件，确定是否引退所述存储器单元块；和至少部分地基于所述存储器单元块包含所述至少一个错误以及与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件满足准则，引退所述存储器单元块。

描述了一种方法。所述方法可包括确定所述存储器系统的存储器单元块的至少一个错误的发生；至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的一或多个操作条件；至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生以及识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件，确定是否引退所述存储器单元块；和至少部分地基于所述存储器单元块包含所述至少一个错误以及与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件满足准则，引退所述存储器单元块。

附图说明

图1说明根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的系统的实例。

图2说明根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的电路的框图。

图3说明根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的过程流程图的实例。

图4示出根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的存储器系统的框图。

图5示出说明根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的一或多种方法的流程图。

具体实施方式

存储器系统可包含一或多个存储器装置，所述一或多个存储器装置包含可操作以对存储器单元执行存取操作的存储器单元阵列和电路系统。(例如，存储器裸片的)存储器装置的各种结构可随时间推移而磨损或降级，这可导致存储器装置的操作故障或其它不可靠的操作。一些存储器系统或存储器装置可配置成检测不可靠或失败存取操作的指示，且响应于此类检测而引退存储器阵列的部分。然而，用于检测不可靠或失败存取操作的一些技术可能过度保守且导致存储器阵列的过度浪费。

根据本文所公开的实例，存储器系统或存储器装置的各方面可配置成确定存储器单元块发生错误。在检测到发生错误之后，即刻可基于一或多个操作条件满足准则而引退块。在一些情况下，可基于可与检测到一或多个错误相关联(例如，同时发生)的操作条件来做出是否引退块的确定。操作条件的实例可包含块温度、块的循环计数、块经历错误的次数、块的位错误率和/或相关联系统中的可用块数量。每个操作条件可与引退块的相应准则相关联。因此，相关联存储器系统可基于操作条件满足(或未能满足)相应准则而相对更积极地或更不积极地引退块。与用于阵列引退的其它技术相比，通过根据本文所公开的实例实施暂时引退块的一或多个方面，存储器装置可配置有较大容量、较小程度的过量供应或较长生命周期，以及其它益处或其组合。

在如参考图1和2所描述的系统、装置和电路的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3所描述的过程流程图的上下文中描述本公开的特征。在涉及参考图4和5的用于引退存储器系统的块的技术的设备图和流程图的上下文中进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。

图1说明根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的系统100的实例。系统100包含与存储器系统110耦接的主机系统105。

存储器系统110可为或包含任何装置或装置的集合，其中所述装置或装置的集合包含至少一个存储器阵列。例如，存储器系统110可为或包含通用快闪存储(UFS)装置、嵌入式多媒体控制器(eMMC)装置、快闪装置、通用串行总线(USB)快闪装置、安全数字(SD)卡、固态驱动器(SSD)、硬盘驱动器(HDD)、双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)，或非易失性DIMM(NVDIMM)，以及其它可能性。

系统100可包含在计算装置中，所述计算装置如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具物联网(IoT)功能的装置、嵌入式计算机(例如，包含在交通工具、工业设备或联网商业装置中的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的任何其它计算装置。

系统100可包含可与存储器系统110耦合的主机系统105。在一些实例中，此耦合可包含与主机系统控制器106的接口，所述主机系统控制器106可以是配置成使得主机系统105根据如本文中所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。主机系统105可包含一或多个装置，且在一些情况下可包含处理器芯片组和通过处理器芯片组执行的软件堆栈。例如，主机系统105可包含被配置成用于与存储器系统110或其中的装置通信的应用程序。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存(例如，主机系统105本地的或包含在主机系统105中的存储器)、存储器控制器(例如，NVDIMM控制器)，和存储协议控制器(例如，外围组件互连高速(PCIe)控制器、串行高级技术附件(SATA)控制器)。主机系统105可使用存储器系统110例如将数据写入到存储器系统110以及从存储器系统110读取数据。虽然图1中示出一个存储器系统110，但主机系统105可与任何数量的存储器系统110耦合。

主机系统105可以经由至少一个物理主机接口与存储器系统110耦合。在一些情况下，主机系统105及存储器系统110可经配置以使用相关联协议经由物理主机接口通信(例如，以在存储器系统110与主机系统105之间交换或以其它方式传达控制、地址、数据和其它信号)。物理主机接口的实例可包含但不限于SATA接口、UFS接口、eMMC接口、PCIe接口、USB接口、光纤通道接口、小型计算机系统接口(SCSI)、串行连接的SCSI(SAS)、双数据速率(DDR)接口、DIMM接口(例如，支持DDR的DIMM套接接口)、开放NAND快闪接口(ONFI)，和低功率双数据速率(LPDDR)接口。在一些实例中，一或多个此类接口可包含在主机系统105的主机系统控制器106与存储器系统110的存储器系统控制器115中或以其它方式在其间得到支持。在一些实例中，主机系统105可经由用于包含在存储器系统110中的每一存储器装置130的相应物理主机接口或经由用于包含在存储器系统110中的每一类型的存储器装置130的相应物理主机接口而与存储器系统110耦合(例如，主机系统控制器106可与存储器系统控制器115耦合)。

存储器系统110可包含存储器系统控制器115和一或多个存储器装置130。存储器装置130可以包含任何类型的存储器单元(例如，非易失性存储器单元、易失性存储器单元，或其任何组合)的一或多个存储器阵列。虽然图1的实例中展示两个存储器装置130-a和130-b，但存储器系统110可包含任何数量的存储器装置130。此外，如果存储器系统110包含多于一个存储器装置130，那么存储器系统110内的不同存储器装置130可包含相同或不同类型的存储器单元。

存储器系统控制器115可与主机系统105耦合与通信(例如，经由物理主机接口)，并且可以是被配置成致使存储器系统110根据如本文所描述的实例执行各种操作的控制器或控制组件的实例。存储器系统控制器115还可与存储器装置130耦合并通信以在存储器装置130处执行一般可称为存取操作的操作，例如读取数据、写入数据、擦除数据或刷新数据，以及其它此类操作。在一些情况下，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令且与一或多个存储器装置130通信以执行此些命令(例如，在所述一或多个存储器装置130内的存储器阵列处)。举例来说，存储器系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作并且可将所述命令或操作转换成指令或适当命令以实现对存储器装置130的所要存取。在一些情况下，存储器系统控制器115可与主机系统105以及一或多个存储器装置130交换数据(例如，响应于或以其它方式结合来自主机系统105的命令)。例如，存储器系统控制器115可以将与存储器装置130相关联的响应(例如，数据分组或其它信号)转换成用于主机系统105的相应信号。

存储器系统控制器115可配置成用于与存储器装置130相关联的其它操作。例如，存储器系统控制器115可执行或管理操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测操作或错误校正操作等错误控制操作、加密操作、高速缓存操作、媒体管理操作、背景刷新、健康监测，以及与来自主机系统105的命令相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(LBA))和与存储器装置130内的存储器单元相关联的物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。

存储器系统控制器115可包含硬件，如一或多个集成电路或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有专用(例如，硬译码)逻辑的电路系统，以执行本文中归于存储器系统控制器115的操作。存储器系统控制器115可为或包含微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP))，或任何其它合适的处理器或处理电路。

存储器系统控制器115还可包含本地存储器120。在一些情况下，本地存储器120可包含只读存储器(ROM)或其它存储器，其可存储可由存储器系统控制器115执行的操作代码(例如，可执行指令)以执行本文中归因于存储器系统控制器115的功能。在一些情况下，本地存储器120可另外或替代地包含静态随机存取存储器(SRAM)或其它存储器，其可由存储器系统控制器115用于例如与本文中归因于存储器系统控制器115的功能有关的内部存储或计算。

虽然图1中的存储器系统110的实例已说明为包含存储器系统控制器115，但在某些情况下，存储器系统110可不包含存储器系统控制器115。举例来说，存储器系统110可另外或替代地依赖于外部控制器(例如，由主机系统105实施)或可分别在存储器装置130内部的一或多个本地控制器135，以执行本文中归于存储器系统控制器115的功能。一般来说，本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能可在一些情况下改为由主机系统105、本地控制器135或其任何组合进行。在一些情况下，至少部分地由存储器系统控制器115管理的存储器装置130可称为受管理存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。

存储器装置130可以包含非易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含NAND(例如，NAND快闪)存储器、ROM、相变存储器(PCM)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(RAM)(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、NOR(例如，NOR快闪)存储器、自旋转移力矩(STT)-MRAM、导电桥接RAM(CBRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、基于氧化物的RRAM(OxRAM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)，或其任何组合。另外或替代地，存储器装置130可包含易失性存储器单元的一或多个阵列。举例来说，存储器装置130可包含RAM存储器单元，例如动态RAM(DRAM)存储器单元和同步DRAM(SDRAM)存储器单元。

在一些实例中，存储器装置130可以(例如，在同一裸片上或在同一封装内)包含本地控制器135，其可以对相应存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。本地控制器135可结合存储器系统控制器115操作，或可执行本文中归于存储器系统控制器115的一或多个功能。举例来说，如图1所说明，存储器装置130-a可以包含本地控制器135-a，且存储器装置130-b可以包含本地控制器135-b。

在一些情况下，存储器装置130可以是或包含NAND装置(例如，NAND快闪装置)。存储器装置130可为或包含存储器裸片160。举例来说，在一些情况下，存储器装置130可以是包含一或多个裸片160的封装。在一些实例中，裸片160可以是从晶片切割的一块电子级半导体(例如，从硅晶片切割的硅裸片)。每个裸片160可包含一或多个平面165，且每个平面165可包含相应的一组块170，其中每个块170可包含相应的一组页175，且每个页175可包含一组存储器单元。

在一些情况下，NAND存储器装置130可包含被配置成各自存储一个信息位的存储器单元，其可被称为单层级单元(SLC)。另外或替代地，NAND存储器装置130可以包含被配置成各自存储多个信息位的存储器单元，如果被配置成各自存储两个信息位，则其可以被称为多层级单元(MLC)，如果被配置成各自存储三个信息位，则其可以被称为三层级单元(TLC)，如果被配置成各自存储四个信息位，则其可以被称为四层级单元(QLC)，或更一般地被称为多层级存储器单元。多层级存储器单元可相对于SLC存储器单元提供更大的存储密度，但在一些情况下，可能涉及用于支持电路系统的更窄读取或写入裕度或更大复杂度。

在一些情况下，平面165可以指块170的群组，且在一些情况下，可以在不同平面165内发生并发操作。举例来说，可对不同块170内的存储器单元进行并行操作，只要不同块170处于不同平面165中即可。在一些情况下，个别块170可被称作物理块，并且虚拟块180可指可在其内发生并行操作的块170的群组。举例来说，可对分别在平面165-a、165-b、165c和165-d内的块170-a、170-b、170-c和170-d进行并行操作，且块170-a、170-b、170-c和170-d可统称为虚拟块180。在一些情况下，虚拟块可包含来自不同存储器装置130的块170(例如，包含存储器装置130-a和存储器装置130-b的一或多个平面中的块)。在一些情况下，虚拟块内的块170可在其相应平面165内具有相同的块地址(例如，块170-a可为平面165-a的“块0”，块170-b可为平面165-b的“块0”，等等)。在一些情况下，在不同平面165中进行并行操作可受制于一或多个限制，如对不同页175内的存储器单元进行并行操作，所述存储器单元在其相应平面165内具有相同页地址(例如，与命令解码、页地址解码电路系统，或跨平面165共享的其它电路系统相关)。

在一些情况下，块170可包含组织成行(页175)和列(例如，串，未展示)的存储器单元。例如，同一页175中的存储器单元可共享共同字线(例如，与其耦合)，并且同一串中的存储器单元可共享共同数字线(其可替代地被称为位线)(例如，与其耦合)。

对于一些NAND架构，存储器单元可在第一粒度级别(例如，在页粒度级别)读取和编程(例如，写入)，但可在第二粒度级别(例如，在块粒度级别)擦除。也就是说，页175可为可独立地编程或读取(例如，作为单个编程或读取操作的一部分同时编程或读取)的存储器(例如，存储器单元的集合)的最小单元，且块170可为可独立地擦除(例如，作为单个擦除操作的一部分同时擦除)的存储器(例如，存储器单元的集合)的最小单元。此外，在一些情况下，NAND存储器单元可在其可用新数据重写之前进行擦除。因此，举例来说，在一些情况下，可直到包含页175的整个块170已被擦除才更新所使用的页175。

在一些情况下，存储器系统控制器115或本地控制器135可以执行存储器装置130的操作(例如，作为一或多个媒体管理算法的一部分)，例如耗损均衡、后台刷新、垃圾收集、清理、块扫描、健康监测，或其它操作，或其任何组合。例如，在存储器装置130内，块170可以具有包含有效数据的一些页175和包含无效数据的一些页175。为了避免等待块170中的所有页175具有无效数据以便擦除和重复使用块170，可调用被称作“垃圾收集”的算法，以允许块170被擦除和释放为用于后续写入操作的空闲块。垃圾收集可指媒体管理操作集，其包含例如选择包含有效和无效数据的块170、选择块中包含有效数据的页175、将来自所选页175的有效数据复制到新位置(例如，另一块170中的空闲页175)、将先前选择的页175中的数据标记为无效，以及擦除选定块170。因此，可增加已擦除的块170的数量，使得可使用更多的块170来存储后续数据(例如，随后从主机系统105接收到的数据)。

系统100可包含支持用于管理存储器系统的暂时引退的块的技术的任何数量的非暂时性计算机可读媒体。举例来说，主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130可包含或可以其它方式存取存储指令(例如，固件)以用于执行本文中属于主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130的功能的一或多个非暂时性计算机可读媒体。举例来说，此类指令可在由主机系统105(例如，由主机系统控制器106)、由存储器系统控制器115或由存储器装置130(例如，由本地控制器135)执行的情况下，致使主机系统105、存储器系统控制器115或存储器装置130执行如本文中所描述的一或多个相关联功能。

在一些情况下，存储器系统110可利用存储器系统控制器115以提供受管理存储器系统，所述受管理存储器系统可包含例如一或多个存储器阵列和与本地(例如，裸片上或封装中)控制器(例如，本地控制器135)组合的相关电路系统。受管理存储器系统的实例为受管理NAND(MNAND)系统。

存储器系统控制器115可被配置成确定存储器单元的一或多个块170上发生错误。在确定块170上的错误之后，存储器系统控制器115即刻可识别与块170相关联的一或多个操作条件。举例来说，存储器系统控制器115可确定块170(或存储器系统的其它组件)的温度、块170的循环计数、块170经历错误的次数、块170的位错误率和/或存储器系统110中的可用块170的数量。取决于是否满足与相应操作条件相关联的准则，可启用或引退块170。因此，与仅使用数据中的错误引退块相比，通过确定是否满足与一或多个操作条件相关联的相应准则，存储器系统控制器115可相对更积极地或更不积极地引退块170。因此，存储器系统110可配置有较大容量、较小程度的过量供应或较长生命周期，以及其它益处。

图2说明根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的电路200的框图。电路200可包含于存储器系统110中，且可包含存储器装置130的一或多个组件。举例来说，电路200说明包含存储器单元205的阵列的块170-a的实例。存储器单元205中的每一个可根据字线225(例如，WL)与位线235(例如，BL)的相交点而定位或可以其它方式存取，所述字线和位线可各自被称作块170-a的存取线。沿着字线225的存储器单元205可为页175的实例。字线225和位线235可分别与行解码器220和列解码器230耦合，以用于控制相应存取线的各种加偏压或激活。在一些实例中，行解码器220和列解码器230可为本地控制器135的组件，其可支持如将逻辑状态写入到存储器单元205或感测存储于存储器单元205中的逻辑状态的存取操作，以及其它操作和其信令。行解码器220和列解码器230可与控制器240耦合，所述控制器配置成执行用于如本文所公开的基于拓扑的引退的各种技术。在各种实例中，控制器240可包含于存储器系统控制器115中、包含于本地控制器135中或分布于存储器系统控制器115与本地控制器135之间，以及其它配置。

存储器单元205可根据子块210(例如，第一子块210-a和第二子块210-b)以物理方式或以电气方式布置。在一些实例中，子块210中的每一者可包含或指块170的字线225的子集(例如，子块210-a包含或相关联于字线WLa1到WLam，子块210-b包含或相关联于字线WLb1到WLbm)。尽管块170-a示出为包含两个子块210，但根据所描述技术的块170可包含任何数量的子块210(例如，两个、三个、四个、五个、六个、七个、八个等)。另外或替代地，虽然子块210说明为各自包含块170-a的字线225的相应子集和块170-a的所有位线235，但在一些实例中，子块210可各自包含块170的位线235的相应子集(例如，以及包含块170的字线225中的一些或全部)。

在一些实例中，电路200的一或多个结构(例如，裸片160的结构)可随时间推移而磨损或降级，这可导致一或多个物理缺陷。举例来说，电路200说明缺陷250-a的实例，其可至少与字线WLai和缺陷250-b相关联，所述缺陷可至少与位线BLj相关联。缺陷250可指电路200的一或多个物理元件的各种劣化或故障。例如，缺陷250可指短路缺陷或其它介质击穿(例如，泄漏路径)，例如存取线与裸片160的底盘或接地结构之间的短路、存取线与电压源(例如，正电压源、负电压源)之间的短路、第一存取线与第二存取线之间的(例如，第一字线225与第二字线225之间的、第一位线235与第二位线235之间的、字线225与位线235之间的)或者电路200的其它结构之间的短路。在一些实例中，缺陷250可指开路缺陷或导电性的其它减小或抑制，例如导电性的中断或存取线的导电路径中的断开或其它横截面减小。缺陷250-a和250-b的实例出于说明性目的，且电路可在存储器装置130的电路的各种位置中产生任何数量的一或多个缺陷250，且缺陷150可影响任何数量的一或多个存取线。

在一些实例中，缺陷250可响应于存取块170-a的存储器单元205而造成错误，所述错误可包含不可校正的错误(例如，如果错误的数量超出包含电路200的存储器系统110或存储器装置130的错误校正能力，如果错误不是由于暂时性情况而导致的)。举例来说，如果缺陷250-a为开路缺陷，那么缺陷250-a可响应于沿着在缺陷250-a的下游(例如，关于行解码器的下游，相比于缺陷250-a，离行解码器220更远)的字线WLai存取存储器单元205而造成错误，这是因为信号未传送通过缺陷250-a。同样，如果缺陷250-b为开路缺陷，那么缺陷250-b可响应于沿着缺陷250-b的下游(例如，相对于列解码器230的下游，相比于缺陷250-b，离列解码器230更远)的位线BLj存取存储器单元205而造成错误，这是因为信号未传送通过缺陷250-b。在缺陷250为与存取线相关联的短路、介质击穿或泄漏缺陷的实例中，此类缺陷250可响应于存取在缺陷250下游的存储器单元205和在缺陷250上游的存储器单元205两者而造成错误(例如，造成通常影响存取线的信令传送的电压不稳定或电荷泄漏)。

在一些实例中，控制器240可管理用于跟踪被启用块170和被引退块170(例如，永久被引退块170)的一或多个映射。如本文所使用，被启用块170可指主动配置成存储数据的任何块170。举例来说，可从活动中块170读取数据或将数据写入到活动中块170。被引退块170可指不再配置成被存取的块。举例来说，块170可能已经历一或多个错误(例如，不可校正错误、不可校正错误控制码(ECC)错误)，且因此可能不再能够可靠地存储数据。可引退这些块170以使得可能不再从其读取数据或将数据写入到其。

在其它实例中，控制器240可管理用于跟踪块170的状态的任何数量的映射。举例来说，控制器240可管理用于已经历不同类型的错误(例如不可校正错误、性能错误(例如，相对缓慢地执行的块170))的块170的映射表，或用于指定为在工厂测试期间具有错误的块的映射表。

是否引退块170可基于错误的发生以及是否满足与操作条件相关联的准则。举例来说，一些块170可经历在性质上为瞬态的错误。正在存储相对旧数据的块170可经历数据保持问题，所述数据保持问题原本可能不发生但在相对长持续时间内对于正存储到块170的数据可能发生。类似地，一些块170可经历温度变化(例如，如通过温度传感器245所测量或检测)或电压变化(例如，如通过电压传感器246所测量或检测)，其可造成可不影响块170的长期可靠性的暂时(例如，瞬态)错误。因此，如果块170经历错误，那么可识别与块170相关联的一或多个操作条件并与相应准则进行比较。如果满足所述准则，那么可引退块170(例如，与块相关联的索引可存储到用于跟踪被引退块170的映射)。相反地，如果不满足所述准则中的一或多个，那么块170可保持启用(例如，与所述块相关联的索引可存储或保持存储到用于跟踪被启用块170的映射)。

在一些实例中，控制器240可确定块170-a(例如，被启用块170)的错误的发生。在确定错误之后，控制器240可即刻识别与块170-a相关联的一或多个操作条件。如本文所描述，块170-a的操作条件可涉及块170-a的温度、块170-a的循环计数、块170-a经历错误的次数、块170-a的位错误率和/或存储器系统110中的可用块170的数量。此外，每个操作条件可与用于确定是否引退块170-a的相应准则相关联，且可使用多个操作条件确定是否引退块170-a。举例来说，块170-a可在操作温度满足温度阈值且循环计数满足循环计数阈值这两者的情况下被引退，但在不满足所述两个准则中的一个的情况下保持启用。

通过利用一或多个操作条件确定是否引退块170-a，存储器系统110可能够更积极地或更不积极地引退块170。举例来说，块170-a可经历在其中暴露于相对高温或低温的测试。因此，块170-a可经历错误，但所述错误归因于改变的操作条件(例如高温或低温，举一个实例)而在性质上可为瞬态的。在一些情况下，温度阈值可设置成使得如果块170-a的操作温度超过温度阈值，那么块可保持启用。另外或替代地，如果不超过温度阈值(例如，如果块170-a的操作温度相对为高，但不会高达阈值)，那么错误可为非预期的且可能需要引退块170-a。

用于其它操作条件的准则可类似地设置成使得可基于各种准则更积极地或更不积极地引退块170。举例来说，与块170的循环计数、块经历错误的次数或块170的位错误率相关联的准则可设置成使得相对低值(例如，相对少的存取操作、相对少的错误、相对低的位错误率)可不触发块170的引退。此外，块170可在存储器系统110包含相对大数量的可用块的情况下被引退，并且在存储器系统110包含相对低数量的可用块的情况下可保持启用。因此，通过确定是否满足与一或多个操作条件相关联的相应准则，控制器240可相对更积极地或更不积极地引退块170。因此存储器系统110可配置有较大容量、较小程度的过量供应或较长生命周期，以及其它益处。

图3说明根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的方法300的过程流程图的实例。方法300的各方面可由控制器(例如，存储器系统控制器115、本地控制器135、控制器240)以及其它组件实施。另外或替代地，方法300的方面可实施为存储于存储器中的指令(例如，存储于与存储器系统110或存储器装置130耦合的存储器中的固件)。例如，指令可在由控制器执行的情况下使控制器执行方法300的操作。

在一些实例中，方法300可在305处基于块170-a的错误的确定开始(例如，发起)。举例来说，方法300可响应于控制器240确定错误条件，例如可在正常操作的进程(例如，在响应于来自主机系统105的读取命令而执行的读取操作期间)、媒体管理操作(例如，垃圾收集操作、耗损均衡操作)或其它操作期间确定的(例如，块170-a的)读取错误而开始。

在310处，可识别一或多个操作条件。如本文所描述，所述操作条件可包含块170-a的温度、块170-a的循环计数、块170-a经历错误的次数、块170-a的位错误率或存储器系统110中的可用块170-a的数量。在一些情况下，可利用多个操作条件确定是否引退块170-a。因此，在310处，控制器240可识别用于确定是否引退块170-a的操作条件中的每一个。在其它实例中，控制器240可识别额外操作条件，不过一些操作条件可用于确定是否引退块170-a中。

在315处，控制器240可将计分指配给块170-a。在一些实例中，可基于所识别的操作条件相对于相应阈值的比较来指配所述计分。所述计分可基于块170-a的操作温度、块170-a的循环计数、块170-a经历错误的次数、块170-a的位错误率或存储器系统中的可用块170-a的数量与相应阈值的比较。在一些情况下，可基于与操作条件中的每一个相关联的不同加权值来指配加权计分。

举例来说，相对低的操作温度、相对高的循环计数、引发的相对大的错误数量、相对高的位错误率以及存储器系统110中的可用块170的相对低的数量可引起相对高的计分。相反地，相对高的操作温度、相对低的循环计数、引发的相对低的错误数量、相对低的位错误率以及存储器系统110中的可用块170的相对高的数量可引起相对低的计分。所述计分可用于确定是否引退块170-a。

在一些情况下，块170的操作温度可用于确定是否引退块。举例来说，温度传感器245可用于确定在错误发生后块的温度。如果块170的温度相对为高(例如，高于温度阈值)，那么可不引退块170，然而，如果块170的温度相对低(例如，低于温度阈值)，那么可引退块170。在一些实例中，归因于相对高的操作温度(或相对低的操作温度)可不引退块170，这是因为所述温度可能已引起错误。也就是说，归因于相对高温或相对低温，错误在性质上可为瞬态的。在一些实例中，用于确定是否引退块170的温度阈值可为可配置的阈值。在一些情况下，可通过测量存储器系统的其它方位的温度来估算块170的操作温度。举例来说，存储器系统的任何方位中的一或多个温度传感器可用于确定操作温度。

另外或替代地，块170的循环计数可用于确定是否引退块。如本文所描述，“循环计数”可指对块170执行的单个编程擦除(P/E)操作。在一些实例中，存储器系统的控制器240或另一组件(例如，计数器)可跟踪每次对相应块170执行P/E操作。如果块170的循环计数相对高(例如，高于循环计数阈值)，那么可引退块170，然而，如果块170的循环计数相对低(例如，低于循环计数阈值)，那么可不引退块170。在一些实例中，可归因于相对高的循环计数而引退块170，这是因为块170倾向于在执行相对高的数量的P/E操作之后降级，因此更有可能的是检测到的错误在性质上并非瞬态的。在一些实例中，用于确定是否引退块170的循环计数阈值可为可配置的阈值。

在其它实例中，块170的错误数量可用于确定是否引退块。在一些实例中，存储器系统的控制器240或另一组件(例如，计数器)可跟踪每次检测到相应块170的错误。如果块170的错误数量相对高(例如，高于错误阈值)，那么可引退块170，然而，如果块170的错误数量相对低(例如，低于错误阈值)，那么可不引退块170。在一些实例中，归因于当发生高数量的错误时，错误在性质上并非瞬态的这种情况的概率，可由于相对高的错误数量而引退块170。在一些实例中，用于确定是否引退块170的错误阈值可为可配置的阈值。

在另一实例中，块170的位错误率可用于确定是否引退块。在一些实例中，存储器系统的控制器240或另一组件(例如，计数器)可跟踪在一持续时间期间每次检测到相应块170的错误。控制器240或另一组件可将位错误率计算为在所述持续时间期间位错误的数目除以传送的位总数目。如果块170的位错误率相对高(例如，高于错误率阈值)，那么可引退块170，然而，如果块170的位错误率相对低(例如，低于错误率阈值)，那么可不引退块170。在一些实例中，归因于当发生高位错误率时，错误在性质上并非瞬态的这种情况的概率，可由于相对高的位错误率而引退块170。在一些实例中，用于确定是否引退块170的错误阈值可为可配置的阈值。

另外或替代地，可用块170的数量可用于确定是否引退块。在一些实例中，存储器系统的控制器240或另一组件(例如，计数器)可跟踪在任何给定时间可用块170的数量。为了满足一些性能基准，存储器系统可维持可用于执行主机系统所请求的操作的块数量。如果块的数量变得低于阈值，那么存储器系统可执行一或多个存储器管理操作(例如，垃圾收集操作)以使更多块可用于主机系统操作。如本文所描述，一些块可被引退且因此不可用，而其它块可归因于正对块170执行垃圾收集操作而为(例如，暂时)不可用的。如果可用块170的数量相对高(例如，高于可用块170的阈值数量)，那么可引退块170，然而，如果可用块170的数量相对低(例如，低于可用块170的阈值数量)，那么可不引退块170。在一些实例中，可归因于可用块170的相对高数量而引退块170，这是因为存储器系统可包含供后续操作(例如，存取操作)使用的必备数量的可用块。在一些实例中，用于确定是否引退块170的可用块170的阈值数量可为可配置的阈值。

在320处，控制器240可基于计分是否满足阈值确定是否引退块170-a。控制器240可将所述计分与阈值(例如，阈值计分)进行比较以确定是否引退块170-a。在325处，控制器240可基于所述计分引退块170-a。在一些实例中，可基于所述计分满足阈值或未能满足阈值而引退块170-a，这可为设计选择问题。在330处，控制器240可基于所述计分确定不引退块170-a(例如，块170-a可保持启用)。在此类实例中，块170-a可基于计分满足阈值或未能满足阈值而保持启用，这可为设计选择问题。

在330处，控制器240可确定与所识别的操作条件相关联的一或多个准则。控制器240可确定在计分不满足阈值(例如，在320处)的情况下，或在计分不用于确定是否引退块170-a的情况下的准则。借助于实例，在310处，控制器可能已识别块170-a的操作温度。因此，在330处，控制器240可确定如下：如果块170-a的操作温度小于阈值温度值，那么引退块170-a，并且如果块170-a的操作温度大于阈值温度值，那么不引退块170-a。

在一些情况下，与块170-a的操作条件相关联的其它准则可如下。

如果对块170-a执行的存取操作的数量大于存取操作的阈值数量，那么引退块170-a，并且如果对块170-a执行的存取操作的数量小于存取操作的阈值数量，那么不引退块170-a。

如果块170-a在大于错误阈值数量的持续时间内经历阈值数量的错误，那么引退块170-a，且如果块170-a在小于错误阈值数量的持续时间内经历阈值数量的错误，那么不引退块170-a。

如果块170-a与大于阈值错误率的位错误率相关联，那么引退块170-a，且如果块170-a与小于阈值错误率的位错误率相关联，那么不引退块170-a。

如果存储器系统110的可用块170的数量大于可用块170的阈值数量，那么引退块170-a，且如果存储器系统110的可用块170的数量小于可用块170的阈值数量，那么不引退块170-a。

在335处，控制器240可基于是否满足所确定的准则来确定是否引退块170-a。控制器240可将所识别的操作条件(例如，与操作条件相关联的度量或值)与确定的相应准则进行比较。在340处，控制器240可基于满足准则而引退块170-a。在一些情况下，如果识别了多个操作条件并且确定了多个准则，那么可满足每个准则以便引退块。使用本文中描述的实例，控制器240可基于块170-a的操作温度小于阈值温度值而引退块170-a。

在345处，控制器240可基于不满足准则而不引退块170-a。举例来说，控制器240可基于块170-a的操作温度大于阈值温度值而不引退块170-a。在此实例中，归因于块170-a的相对高的操作温度，错误在性质上可为瞬态的，因此将块170-a维持于启用状态中可以是合乎需要的。在一些情况下，如果识别了多个操作条件并且确定了多个准则，那么可在不满足准则中的一或多个的情况下不引退块170-a。

在350处，控制器240可确定块170-a的第二错误、第二操作条件和第二准则。举例来说，控制器240可基于块170-a第二次经历错误(例如，第二错误)而识别第二操作条件并且确定与第二操作条件相关联的准则。可从上文在310处所描述的操作条件的同一集中识别在350处识别的操作条件，且所确定的准则可为与如上文在330处所描述的相同或不同的准则。在一些情况下，第二准则可不同于上文在330处所描述的准则。举例来说，如上文所描述：如果块170-a的操作温度小于阈值温度值，那么引退块170-a，且如果块170-a的操作温度大于阈值温度值，那么不引退块170-a。然而，在350处，所述准则可改变为：如果块170-a的操作温度大于阈值温度值，那么引退块170-a，且如果块170-a的操作温度小于阈值温度值，那么不引退块170-a。所述准则可改变，这是因为在一些情况下，重现的错误可能较不可能在性质上为瞬态的。

在355处，控制器240可基于是否满足所确定的第二准则而确定是否引退块170-a。控制器240可将所识别的操作条件(例如，与操作条件相关联的度量或值)与确定的相应第二准则进行比较。在360处，控制器240可基于满足第二准则而引退块170-a。在一些情况下，如果识别了多个操作条件并且确定了多个准则，那么可满足每个准则以便引退块。

在365处，控制器240可基于不满足准则而不引退块170-a。在一些情况下，如果识别了多个操作条件并且确定了多个准则，那么可在不满足所述准则中的一或多个的情况下不引退块170-a。此外，控制器240可继续确定块170-a的错误并且可继续确定是将块170-a维持启用还是引退块170-a，如本文中所描述。

如本文所描述，多个操作条件和相关联准则可用于确定是否引退已引发错误的块170。举例来说，可基于满足第一准则和第二准则而引退块170，而可在不满足第一准则或第二准则中的任一个的情况下不引退块170。

在一些情况下，块170的操作温度可为结合其它操作条件用以确定是否引退块170的主要操作条件。举例来说，可在确定是否引退块170时使用块170的温度和块170的循环计数。因此，如果块170的温度满足温度阈值且对块170执行的存取操作的数量满足循环计数阈值，那么可引退块170。如果块170的温度不满足温度阈值，如果对块执行的存取操作的数量不满足循环计数阈值，或这两者，那么可不引退块170。

在另一实例中，块170的温度和块170引发的错误数量可用于确定是否引退块170。因此，如果块170的温度满足温度阈值，且在一持续时间(例如，可配置的持续时间)期间的错误数量满足错误阈值，那么可引退块170。在一些情况下，控制器240可跟踪(例如，计数)块170引发的错误数量。如果块170的温度不满足温度阈值，如果在所述持续时间期间的错误数量不满足错误阈值，或这两者，那么可不引退块170。

在又另一实例中，块170的温度和块170的位错误率可用于确定是否引退块170。因此，如果块170的温度满足温度阈值且块170的位错误率满足错误率阈值，那么可引退块170。如果块170的温度不满足温度阈值，如果位错误率不满足错误率阈值，或这两者，那么可不引退块170。

在又另一实例中，块170的温度和存储器系统110的可用块的数量可用于确定是否引退块170。因此，如果块170的温度满足温度阈值且存储器系统110中的可用块170的数量满足可用块170的阈值数量，那么可引退块170。如果块170的温度不满足温度阈值，如果存储器系统110中的可用块170的数量不满足可用块170的阈值数量，或这两者，那么可不引退块170。

另外或替代地，存储器系统110中的可用块的数量可为结合其它操作条件用以确定是否引退块170的主要操作条件。举例来说，存储器系统110中的可用块的数量和块170的循环计数可用于确定是否引退块170。因此，如果存储器系统110中的可用块170的数量满足可用块170的阈值数量且对块170执行的存取操作数量满足循环计数阈值，那么可引退块170。如果存储器系统110中的可用块170的数量不满足可用块170的阈值数量，如果对块170执行的存取操作的数量不满足循环计数阈值，或这两者，那么可不引退块170。

在另一实例中，存储器系统110中的可用块的数量和块170引发的错误数量可用于确定是否引退块170。因此，如果存储器系统110中的可用块170的数量满足可用块170的阈值数量且在一持续时间(例如，可配置的持续时间)期间的错误数量满足错误阈值，那么可引退块170。如果存储器系统110中的可用块170的数量不满足可用块170的阈值数量，如果在所述持续时间期间的错误数量不满足错误阈值，或这两者，那么可不引退块170。

在另一实例中，存储器系统110中的可用块的数量和块170的位错误率可用于确定是否引退块170。因此，如果存储器系统110中的可用块170的数量满足可用块170的阈值数量且块170的位错误率满足错误率阈值，那么可引退块170。如果存储器系统110中的可用块170的数量不满足可用块170的阈值数量，如果位错误率不满足错误率阈值，或这两者，那么可不引退块170。

用于确定是否引退块170的操作条件和相关联准则的前述排列仅出于示范性目的。因而，操作条件和相关联准则的任何组合或数量可用于将块170维持启用或引退块170。操作条件和相关联准则的组合或数量可为设计选择问题，且可基于块170引退的所要积极性以及其它准则进行选择。因此，通过确定是否满足与一或多个操作条件相关联的相应准则，控制器240可相对更积极地或更不积极地引退块170。因此，存储器系统110可配置有较大容量、较小程度的过量供应或较长生命周期，以及其它益处。

图4示出根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的存储器系统420的框图400。存储器系统420可为如参考图1到3描述的存储器系统的方面的实例。存储器系统420或其各种组件可以是用于执行如本文描述的用于执行用于引退存储器系统的块的技术的各个方面的装置的实例。举例来说，存储器系统420可包含确定组件425、识别组件430、块引退组件435、比较组件440、计分指配组件445或其任何组合。这些组件中的每一个可直接或间接地(例如经由一或多个总线)彼此通信。

确定组件425可配置为或以其它方式支持用于确定所述存储器系统的存储器单元块的至少一个错误的发生的装置。在一些实例中，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于确定所述存储器系统的所述第二存储器单元块的至少一个错误的发生的装置。

在一些实例中，为了支持确定是否引退存储器单元块，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于确定所述存储器单元块的温度是否满足温度阈值的装置。在一些实例中，为了支持确定是否引退存储器单元块，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于确定对所述存储器单元块执行的存取操作的数量是否满足循环计数阈值的装置。

在一些实例中，为了支持确定是否引退存储器单元块，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于确定在一持续时间期间，所述存储器单元块的错误数量是否满足错误阈值的装置。在一些实例中，为了支持确定是否引退存储器单元块，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于确定所述存储器单元块的位错误率是否满足错误率阈值的装置。

在一些实例中，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生以及识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件，确定是否引退所述存储器单元块的装置。在一些实例中，为了支持确定是否引退存储器单元块，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于确定所述存储器系统的存储器单元的可用块的数量是否满足可用块的阈值数量的装置。

在一些实例中，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于在制止引退所述第二存储器单元块之后，确定所述存储器系统的所述第二存储器单元块的至少一个错误的第二发生的装置。在一些实例中，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于识别与所述存储器系统的存储器单元块相关联的一或多个操作条件来确定所述准则的装置。在一些实例中，确定组件425可配置为或以其它方式支持用于确定所述存储器系统的存储器单元块的至少一个错误的第三发生的装置。

识别组件430可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的一或多个操作条件的装置。在一些实例中，识别组件430可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定所述第二存储器单元块的所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器系统的所述第二存储器单元块相关联的第二操作条件集的装置。在一些实例中，识别组件430可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的第三操作条件的装置。

块引退组件435可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述存储器单元块包含所述至少一个错误以及与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件满足准则，引退所述存储器单元块的装置。在一些实例中，块引退组件435可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述第二操作条件集未能满足第二准则，制止引退所述第二存储器单元块的装置。

在一些实例中，块引退组件435可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于所述第二存储器单元块包含所述至少一个错误的所述第二发生以及与所述存储器系统的所述第二存储器单元块相关联的所述第二操作条件集满足所述第二准则，引退所述第二存储器单元块的装置。在一些实例中，块引退组件435可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件满足所述准则以及所述第三操作条件满足第三准则，引退所述存储器单元块的装置。

在一些实例中，块引退组件435可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件未能满足所述准则或所述第三操作条件未能满足所述准则，制止引退所述存储器单元块的装置。在一些实例中，块引退组件435可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于指配给所述存储器系统的所述存储器单元块的所述计分满足相应阈值，引退所述存储器单元块的装置。

在一些实例中，比较组件440可配置为或以其它方式支持用于将与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件与所述准则进行比较的装置，其中确定是否引退所述存储器单元块至少部分地基于将与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件与相应阈值进行比较。

在一些实例中，计分指配组件445可配置为或以其它方式支持用于至少部分地基于识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件，将计分指配给所述存储器系统的所述存储器单元块的装置。

在一些实例中，所述存储器系统的所述存储器单元块的所述至少一个错误是可校正错误。在一些实例中，与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件包含所述存储器单元块的温度、所述存储器单元块的循环计数、所述存储器单元块已失败的次数、所述存储器单元块的位错误率或所述存储器系统中的可用块的数量。在一些实例中，确定是否引退所述存储器单元块至少部分地基于在与识别所述至少一个错误相关联的持续时间附近所述存储器单元块的所述一或多个操作条件。

图5示出说明根据本文所公开的实例的支持用于引退存储器系统的块的技术的方法500的流程图。方法500的操作可由如本文中所描述的存储器系统或其组件实施。举例来说，方法500的操作可由参考图1到4所描述的存储器系统执行。在一些实例中，存储器系统可执行指令集以控制装置的功能元件执行下文所描述的功能。另外或替代地，存储器系统可使用专用硬件执行下文所描述的功能的方面。

在505处，方法可包含确定存储器系统的存储器单元块的至少一个错误的发生。可根据本文中所公开的实例执行505的操作。在一些实例中，可由参考图4所描述的确定组件425执行505的操作的方面。

在510处，所述方法可包含至少部分地基于确定至少一个错误的发生，识别与存储器系统的存储器单元块相关联的一或多个操作条件。可根据本文中所公开的实例执行510的操作。在一些实例中，可由参考图4所描述的识别组件430执行510的操作的方面。

在515处，所述方法可包含至少部分地基于确定至少一个错误的发生以及识别与存储器系统的存储器单元块相关联的一或多个操作条件，确定是否引退存储器单元块。可根据本文所公开的实例执行515的操作。在一些实例中，可由参考图4所描述的确定组件425执行515的操作的方面。

在520处，所述方法可包含至少部分地基于存储器单元块包含至少一个错误以及与存储器系统的存储器单元块相关联的一或多个操作条件满足准则，引退存储器单元块。可根据本文所公开的实例执行520的操作。在一些实例中，可由参考图4所描述的块引退组件435执行520的操作的方面。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法500。所述设备可包含用于以下操作的特征、电路系统、逻辑、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：确定所述存储器系统的存储器单元块的至少一个错误的发生；至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的一或多个操作条件；至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生以及识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件，确定是否引退所述存储器单元块；和至少部分地基于所述存储器单元块包含所述至少一个错误以及与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件满足准则，引退所述存储器单元块。

本文中描述和方法500和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定所述存储器系统的所述第二存储器单元块的至少一个错误的发生；至少部分地基于确定所述第二存储器单元块的所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器系统的所述第二存储器单元块相关联的第二操作条件集；和至少部分地基于与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述第二操作条件集未能满足第二准则，制止引退所述第二存储器单元块。

本文中描述和方法500和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：在制止引退所述第二存储器单元块之后，确定所述存储器系统的所述第二存储器单元块的至少一个错误的第二发生；和至少部分地基于所述第二存储器单元块包含所述至少一个错误的所述第二发生以及与所述存储器系统的所述第二存储器单元块相关联的所述第二操作条件集满足所述第二准则，引退所述第二存储器单元块。

本文中描述和方法500和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件，确定所述准则；和将与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件与所述准则进行比较，其中确定是否引退所述存储器单元块可至少部分地基于将与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件与相应阈值进行比较。

本文中描述和方法500和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于确定所述至少一个错误的所述发生，识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的第三操作条件；和至少部分地基于与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件满足所述准则以及所述第三操作条件满足第三准则，引退所述存储器单元块。

本文中描述和方法500和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定所述存储器系统的所述存储器单元块的至少一个错误的第三发生；和至少部分地基于与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件未能满足所述准则或所述第三操作条件未能满足所述准则，制止引退所述存储器单元块。

本文中描述和方法500和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：至少部分地基于识别与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件，将计分指配给所述存储器系统的所述存储器单元块；和至少部分地基于指配给所述存储器系统的所述存储器单元块的所述计分满足相应阈值，引退所述存储器单元块。

在本文中描述方法500和设备的一些实例中，所述存储器系统的所述存储器单元块的所述至少一个错误可为可校正错误。

在本文中描述方法500和设备的一些实例中，与所述存储器系统的所述存储器单元块相关联的所述一或多个操作条件包含所述存储器单元块的温度、所述存储器单元块的循环计数、所述存储器单元块可能已失败的次数、所述存储器单元块的位错误率或所述存储器系统中的可用块的数量。

在本文中描述方法500和设备的一些实例中，确定是否引退所述存储器单元块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定所述存储器单元块的温度是否满足温度阈值。

在本文中描述方法500和设备的一些实例中，确定是否引退所述存储器单元块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定对所述存储器单元块执行的存取操作的数量是否满足循环计数阈值。

在本文中描述方法500和设备的一些实例中，确定是否引退所述存储器单元块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定在一持续时间期间，所述存储器单元块的错误数量是否满足错误阈值。

在本文中描述方法500和设备的一些实例中，确定是否引退所述存储器单元块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定所述存储器单元块的位错误率是否满足错误率阈值。

在本文中描述方法500和设备的一些实例中，确定是否引退所述存储器单元块可包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定所述存储器系统的存储器单元的可用块的数量是否满足可用块的阈值数量。

本文中描述和方法500和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、电路系统、逻辑、装置或指令：确定是否引退存储器单元块可至少部分地基于在与识别所述至少一个错误相关联的持续时间附近所述存储器单元块的所述一或多个操作条件。

应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。另外，可组合来自所述方法中的两种或更多种的部分。

可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，信号可表示信号的总线，其中所述总线可具有多种位宽度。

术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持电子在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。

术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传达。如果如控制器的组件将其它组件耦合在一起，那么组件发起允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的所述组件在开关断开的情况下彼此隔离。如果控制器将两个组件隔离，那么控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。

术语“如果”、“当…时”、“基于”或“至少部分地基于”可互换使用。在一些实例中，如果术语“如果”、“当……时”、“基于”，或“至少部分地基于”用于描述条件性动作、条件性过程，或过程的部分之间的连接，则所述术语可互换。

术语“响应于”可以指由于先前条件或动作而至少部分地(如果不是完全地)发生的一个条件或动作。举例来说，可进行第一条件或动作，且作为先前条件或动作发生的结果(不管是直接在第一条件或动作之后还是在第一条件或动作之后的一或多个其它中间条件或动作发生之后)，第二条件或动作可至少部分地发生。

另外，术语“直接地响应于”或“直接响应于”可指一个条件或动作作为先前条件或动作的直接结果而发生。在一些实例中，可进行第一条件或动作，且可作为与是否发生其它条件或动作无关的先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作。在一些实例中，可进行第一条件或动作，且可作为先前条件或动作发生的结果而直接发生第二条件或动作，使得在较早条件或动作与第二条件或动作之间不发生其它中间条件或动作，或在较早条件或动作与第二条件或动作之间发生有限数量的一或多个中间步骤或动作。除非另外规定，否则本文中描述为“基于”、“至少部分地基于”或“响应于”某一其它步骤、动作、事件或条件进行的任何条件或动作可另外或替代地(例如，在替代实例中)“直接响应于”或“直接地响应于”这种其它条件或动作而进行。

本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在一些其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。

本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂，例如简并，半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型(即，大部分载流子是电子)，那么FET可以被称作n型FET。如果沟道是p型(即，大部分载流子是空穴)，则FET可被称为p型FET。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可导致沟道变得导电。在大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极的情况下，晶体管可以“接通”或“激活”。如果小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极，那么晶体管可“断开”或“解除激活”。

本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着短横及在类似组件之间进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。

本文中所描述的功能可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果以由处理器执行的软件实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。

举例来说，结合本文的公开内容描述的各种说明性块和组件可使用经设计以执行本文所描述的功能的通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，DSP与微处理器的组合、多个微处理器、结合DSP核心的一或多个微处理器，或任何其它此配置)。

如本文中所使用，包含在权利要求书中，如在项列表(例如，后加例如“……中的至少一个”或“……中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机可读存储媒体和通信媒体两者，通信媒体包含促进将计算机程序从一处传送到另一处的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、压缩光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字影音光盘(DVD)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘利用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。