一种利用微晶锗薄膜实现低温Si-Ge和Si-InP键合的方法

摘要

本发明提供了一种利用微晶锗薄膜实现低温Si‑Ge和Si‑InP键合的方法，利用微晶锗薄膜中间层，实现高质量低温Si‑Ge和Si‑InP键合的方法，不仅可以避免高温键合带来的应力问题，而且还能避免界面形成氧化层、减少界面气泡和提高键合强度。本发明是利用磁控溅射的方法来制备微晶Ge薄膜实现Si‑Ge或Si‑InP的键合，此方法是一种简易且低成本的材料制备方法。