离子阱集成芯片及其制备方法、离子阱量子计算系统

摘要

一种离子阱集成芯片及其制备方法、离子阱量子计算系统。该离子阱集成芯片包括囚禁电极、超表面结构和传输组件，囚禁电极用于囚禁真空腔内离子；传输组件设于囚禁电极一侧，传输组件与囚禁电极的排列方向形成第一方向；传输组件包括多个传输单元，多个传输单元沿垂直第一方向的第二方向排列，每个传输单元对应一个离子；超表面结构沿第一方向设于囚禁电极和传输组件间、且位于传输组件出光侧；超表面结构包括至少一个衍射单元，每个衍射单元对应n个传输单元。该离子阱集成芯片通过传输组件与超表面结构两个结构在空间上进行特定的排布和映射可以实现多离子场景下对应每个离子的操控光独立传输且强聚焦的传输，从而可以实现对多离子的高保真操控。