使用连续柴可斯基方法生长氮掺杂单晶硅锭的方法以及通过此方法生长的单晶硅锭

摘要

本申请涉及使用连续柴可斯基方法生长氮掺杂单晶硅锭的方法以及通过此方法生长的单晶硅锭。熔体深度及热条件在生长期间是恒定的，因为硅熔体随着其被消耗而被连续补充，且坩埚位置是固定的。临界v/G是由热区配置确定，且在生长期间对熔体连续补充硅使锭能够在锭的主体的实质部分的生长期间依与临界v/G一致的恒定拉晶速率生长。硅的连续补充伴随着对熔体的周期性或连续氮添加以导致氮掺杂锭。