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钙钛矿光电器件结构、其制备方法及钙钛矿太阳能电池

摘要

本发明公开了一种钙钛矿光电器件结构、其制备方法及钙钛矿太阳能电池。所述钙钛矿光电器件结构包括沿指定方向层叠的空穴传输层、钙钛矿光敏层以及电子传输层,空穴传输层包含NiOx,空穴传输层与钙钛矿光敏层之间还设置有在光照下导电的光导电薄膜;光导电薄膜包含光导电性材料,且光导电性材料与Ni2+络合。本发明所提供的钙钛矿光电器件结构及其制备方法不但工艺简单方便,操作性强,工艺成本低,而且有效提高了NiOx的导电性,从而提高了转换效率,同时也防止了NiOx与钙钛矿光敏层发生界面反应,进而提高了稳定性,促进了钙钛矿太阳能电池产业化快速发展。

著录项

  • 公开/公告号CN115207222A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆山协鑫光电材料有限公司;

    申请/专利号CN202210839354.X

  • 申请日2022-07-15

  • 分类号H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;

  • 代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王锋

  • 地址 215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇玉杨路366号6号房

  • 入库时间 2023-06-19 17:14:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-18

    公开

    发明专利申请公布

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