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公开/公告号CN115188601A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-14
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN202210188862.6
发明设计人 张晨光;张文超;
申请日2022-03-01
分类号H01G11/36;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00;
代理机构
代理人
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号
入库时间 2023-06-19 17:11:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-14
公开
发明专利申请公布
机译: 高能量密度和高功率密度的设备和系统的周期性纳米结构及其用途
机译: 利用静电纺丝制备氮掺杂碳纳米结构的方法及由此得到的氮掺杂碳纳米结构
机译: 纳米颗粒上掺杂碳的涂覆方法,掺杂碳纳米结构的方法,掺杂碳包覆纳米颗粒的方法,用相同方法制备的掺杂碳纳米尺度结构及其用途
机译:细菌纤维素衍生的碳纳米纤维@ MnO_2和氮掺杂的碳纳米纤维电极材料:具有高能量和功率密度的不对称超级电容器
机译:生物质衍生的氮掺杂多孔碳,具有定制的分层孔隙率和高比表面积,适用于高能量和功率密度的超级电容器
机译:基于中空的碳纳米胶囊基氮掺杂碳纳米纤维,其具有念珠状结构,作为铜绿假单胞菌的阻抗检测的高表面底物
机译:使用烟草花叶病毒模板制备高能量,高功率密度的三维分层微电池电极
机译:氮和碳共掺杂的纳米结构TiO2薄膜:合成,结构表征和光电性能。
机译:碳氧化硅:碳氧化硅-锡纳米复合材料是锂离子电池的高功率密度阳极(Adv。Sci。19/2019)
机译:高功率密度钠储存的非晶碳中空纳米球上的超细ZnSe纳米粒子的构建
机译:基于氧化镍纳米结构的高能量和功率密度的伪电容器