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公开/公告号CN115148260A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-10-04
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202210322526.6
发明设计人 D·V·阮;P·S·阮;
申请日2022-03-29
分类号G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26;G11C13/00;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 17:02:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-04
公开
发明专利申请公布
机译: 使用锁存器防止由于存储器缺陷引起的数据丢失的系统,方法和装置
机译: 使用锁存器防止由于存储器缺陷造成的数据丢失的系统,方法和装置
机译:使用MOS_2-纳米管的分叉放大器超敏电荷检测和锁存存储器
机译:低存储能量,低VDDmin,8T2R非易失性锁存器和SRAM,具有用于低功耗移动应用的垂直堆叠式电阻存储器(忆阻器)器件
机译:自主非易失性铁电存储器锁存器的表征
机译:使用二进制CMOS RS锁存器的四进制锁存电路设计
机译:铁电电容存储器:自主非易失性铁电存储器锁存器的特性。
机译:使用经典振荡器模拟量子动力学现象:Landau-Zener-Stückelberg-Majorana干涉测量锁存调制和运动平均
机译:多功能双稳态光学开关和锁存光学逻辑,使用集成的光电晶体管和表面发射激光器。