一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容模型及建模方法

摘要

本发明公开了一种适用于IGBT集总电荷模型的非线性电容模型及建模方法，包括非线性电容子结构Cce、非线性电容子结构Cgc和非线性电容子结构Cge；所述非线性电容子结构Cce的一端与集总电荷模型中MOS部分的漏极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的源极连接，所述非线性电容子结构Cgc的一端与集总电荷模型中MOS部分的漏极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的栅极连接，所述非线性电容子结构Cge的一端与集总电荷模型中MOS部分的栅极连接，另一端与集总电荷模型中MOS部分的源极连接。本发明能够很好地表征IGBT在瞬态时经历的物理过程，且能够提高IGBT集总电荷模型在瞬态过程中的表征精度。