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具有介电弛豫校正电路的图像传感器

摘要

本申请涉及具有介电弛豫校正电路的图像传感器。一些图像传感器包括具有电容器的像素。电容器可用于在读出之前将电荷存储在成像像素中。电容器可以是易于受介电驰豫影响的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。介电驰豫可能导致电容器上的信号产生滞后,这在采样期间影响电容器上的信号。图像传感器可包括介电驰豫校正电路,该介电驰豫校正电路利用电压应力与滞后信号之间的线性关系来校正介电驰豫。图像传感器可包括屏蔽像素,该屏蔽像素使用与有源阵列中的成像像素类似的时序方案操作。来自屏蔽像素的经测量的滞后信号可用于校正成像数据。

著录项

  • 公开/公告号CN115002369A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-09-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;

    申请/专利号CN202210179769.9

  • 发明设计人 D·劳埃德;M·H·因诺森特;

    申请日2022-02-25

  • 分类号H04N5/378;H04N5/341;H04N5/353;

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人任超

  • 地址 美国亚利桑那州

  • 入库时间 2023-06-19 16:38:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-09-02

    公开

    发明专利申请公布

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