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一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法

摘要

本发明公开了一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法,该晶体管包括:铁磁纳米管;分别环绕设置在铁磁纳米管的两端的写入磁性隧道结和读取磁性隧道结;铁电环,环绕设置在铁磁纳米管的外侧,且位于写入磁性隧道结和读取磁性隧道结之间,铁磁纳米管与铁电环形成铁磁/铁电异质结;其中,第一电流沿垂直方向注入写入磁性隧道结后,铁磁纳米管在第一电流的诱导下形成斯格明子;关闭第一电流,且铁磁纳米管通入轴向方向上的第二电流后,斯格明子在第二电流的驱动下沿轴向方向运动;在铁电环上施加控制电压,以通过调节控制电压来控制斯格明子的运动状态。上述方案,能够有效提高斯格明子的移动速度,实现晶体管信号传递的大幅度提高。

著录项

  • 公开/公告号CN114744108A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202210296254.7

  • 申请日2022-03-24

  • 分类号H01L43/08;H01L43/02;G11C11/16;

  • 代理机构北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人马苗苗

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-06-19 15:58:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-12

    公开

    发明专利申请公布

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