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开关电路的栅极驱动电路及开关电源的控制电路

摘要

开关电路(100)包含N沟道的高边晶体管(MH)及低边晶体管(ML)。PMOS晶体管的开关(SW1)及整流元件(D1)被串联地连接在供给恒压VREG的恒压线与自举线(VB)之间。比较电路(210)以自举线(VB)与开关线(VS)之间的电位差即高边电源电压VBS为电源进行动作,生成表示高边电源电压VBS与阈值电压VTH的大小关系的检测信号OVDET。电平移位电路(220)使检测信号OVDET的电平下降到接地电压为“低”的信号。PMOS用驱动器(212)根据电平移位电路(220)的输出来与低边晶体管(ML)的开关非同步地驱动开关(SW1)。

著录项

  • 公开/公告号CN114731106A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 罗姆股份有限公司;

    申请/专利号CN202080079388.2

  • 发明设计人 新仓浩树;

    申请日2020-12-10

  • 分类号H02M1/08;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人郑海涛

  • 地址 日本京都府

  • 入库时间 2023-06-19 15:55:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-08

    公开

    国际专利申请公布

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