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一种半导体用ETCH设备中Bell jar的再生方法

摘要

本发明公开了一种半导体用ETCH设备中belljar的再生方法,包括硝氟酸浸泡:将待再生的belljar用3M胶带保护密封面,用硝酸与氟酸的混合液进行去膜;用湿式喷砂机对belljar内表面进行喷砂处理;用尼龙刷对belljar内表面进行打磨处理;用温水进行浸泡;打磨过的belljar内表面进行高压水清洗;将部件搬运至100级无尘室进行超声波清洗,而后采用超纯水冲洗,最后用氮气吹干。干燥:吹干后的部件放至无尘烘箱内进行加热干燥。有些工序是需要反复多次的。通过该再生方法,实现belljar的重复稳定利用。

著录项

  • 公开/公告号CN114664699A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海富乐德智能科技发展有限公司;

    申请/专利号CN202210206956.1

  • 发明设计人 杨炜;贺贤汉;蒋立峰;许俊;

    申请日2022-03-03

  • 分类号H01L21/67;B08B3/02;B08B3/10;B08B3/08;B08B3/12;B24C1/08;F26B21/00;F26B21/14;

  • 代理机构上海申浩律师事务所;

  • 代理人陆叶

  • 地址 200444 上海市宝山区山连路181号10幢

  • 入库时间 2023-06-19 15:44:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-24

    公开

    发明专利申请公布

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