采用替代N型FET源极/漏极(S/D)以避免或防止短路缺陷的鳍式场效应晶体管(FET)电路以及相关制造方法

摘要

公开了采用替代N型FET(NFET)源极/漏极(S/D)以防止短路缺陷的鳍式场效应晶体管(FET)电路及其形成方法。公开的用于形成FinFET电路的方法包括：形成两个P型epi‑S/D(406)，一个在P型扩散区域(410)中的鳍部上，一个在N型扩散区域(404)中的鳍部上；形成边界层(410、422)以使P型epi‑S/D隔离；以及然后用N型epi‑S/D(416)替代N型扩散区域中的边界层下方的P型epi‑S/D。在公开的方法中，采用掩模用N型epi‑S/D替代P型epi‑S/D，但是其不同于先前方法中的掩模，使得对变化的易受影响性降低。公开的方法中的掩模具有不会创建缺陷的较大可接受变化范围，因此公开的方法不易受到工艺变化的影响且防止了短路。