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一种原子层沉积构筑富锂正极材料表面双包覆层的方法

摘要

一种原子层沉积构筑富锂正极材料表面双包覆层的方法,属于电化学储能材料技术领域。该方法通过原子层沉积技术在富锂正极材料表面沉积均匀的金属氧化物涂层。通过沉积参数调节包覆层的厚度,实现原子层级别的均匀可控的包覆层。将上述正极材料进行热处理,通过热处理可以实现金属元素均匀可控掺杂,形成微掺杂层,达到双包覆层构筑的效果。本发明涉及给富锂正极材料提供了一种双包覆层构筑的方法,对提升正极材料循环稳定性和抑制与电解质的界面副反应有重要意义。

著录项

  • 公开/公告号CN114613993A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202210311513.9

  • 发明设计人 郭现伟;茆凌凯;尉海军;

    申请日2022-03-28

  • 分类号H01M4/525;H01M4/505;H01M4/485;H01M4/48;H01M4/62;C23C16/455;C23C16/40;

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张立改

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 15:36:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-10

    公开

    发明专利申请公布

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