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气相成长装置及气相成长方法

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摘要

本发明提供即使不调整晶圆(W)的上下加热比率也能够抑制升降销的位置对外延层造成的影响的气相成长装置(1)。在反应室(111)设置有搭载载具(C)的基座(112)、使载具(C)相对于基座(112)相对地上下移动的载具升降销(115)，载具升降销(115)在俯视观察将支承有晶圆(WF)的载具(C)搭载于基座(112)的状态的情况下，被比晶圆(WF)的外缘靠外侧地设置。

著录项

  • 公开/公告号CN114586133A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胜高股份有限公司;

    申请/专利号CN202080075012.4

  • 发明设计人 南出由生;和田直之;

    申请日2020-11-16

  • 分类号H01L21/205;C23C16/24;C23C16/46;C30B25/10;C30B29/06;H01L21/687;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张泽洲;张一舟

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 15:32:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-03

    公开

    国际专利申请公布

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