扭矩测量单元和装置、井下扭矩测量系统和方法及应用

摘要

本发明公开了一种扭矩测量单元和装置、井下扭矩测量系统和方法及应用。所述扭矩测量单元包括：相对设置的两个薄膜电极、位于薄膜电极之间的两个半导体层和位于半导体层之间的绝缘体层；所述半导体层采用含GaN材料，所述绝缘体层采用SiO2；第一薄膜电极设置为加载高频输入信号；第二薄膜电极设置为输出高频输出信号。所述扭矩测量装置和系统包括所述扭矩测量单元，由于该扭矩测量单元采用GaN半导体层和SiO2绝缘体层，在直流电压作用下能够产生电场沟道，在扭矩力作用下，电场沟道电容变化，引起高频信号相位差变化，从而能够精确测量扭矩力的变化情况，测量灵敏度高。