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一种低电源电压精确电压跟随电路及电压跟随方法

摘要

本申请提供了一种低电源电压精确电压跟随电路及电压跟随方法。源极连接的NMOS管和PMOS管分别作为上管和下管构成源极输出电路。两个偏置电流源、三个NMOS管构成第一偏置电路,为上管提供偏置电压;三个偏置电流源、两个NMOS管和一个PMOS管构成第二偏置电路,为下管提供偏置电压。电流源的电流和MOS管的宽长比设置使输出电压可以精确跟随输入电压;通过采用native NMOS管和相关的电路设置,使电压跟随电路可以在低电源电压下工作。电压跟随方法包括步骤:通过偏置电路产生随输入电压变化的第一偏置电压和第二偏置电压;通过源极输出电路提供输出电压,通过源极输出电路的MOS管的栅源电压对偏置电压进行精确补偿,使输出电压精确跟随输入电压。

著录项

  • 公开/公告号CN114489209A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 普冉半导体(上海)股份有限公司;

    申请/专利号CN202210030567.8

  • 发明设计人 朱乐永;陈涛;

    申请日2022-01-12

  • 分类号G05F1/56;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号504室

  • 入库时间 2023-06-19 15:18:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 专利申请号:2022100305678 申请日:20220112

    实质审查的生效

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